參數(shù)資料
型號： SIS5595
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Pentium PCI System I/O Chipset
中文描述： 奔騰的PCI系統(tǒng)I / O芯片
文件頁數(shù)： 177/216頁
文件大?。?/td> 2208K
代理商： SIS5595
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SiS5595 PCI System I/O Chipset
Preliminary V2.0 Nov. 2, 1998 171 Silicon Integrated Systems Corporation
BIT
7
ACCESS
RO
DESCRIPTION
by
System
(HKUP_STS)
This bit will be set to '1' while “system powered-up by Keyboard
Hot-Key” events occur and can be set to '0' when read.
System
powered-up
by
Keyboard
(PSUP_STS)
This bit will be set to '1' while “system powered-up by Keyboard
Password” events occur and can be set to '0' when read.
S3 State Status (STR_STS)
This bit will be set to '1' after the system is waked up from S3
state and can be reset when read.
System Powered-up by PME0# Status (PME0_STS)
This bit will be set to '1' while the “system powered-up by PME0#
” event occurs and can be reset when read.
System Powered-up by PME1# Status (PME1_STS)
This bit will be set to '1' while the “system powered-up by
PME1#” event occurs and can be reset when read.
System Powered-up by RING Status (RNUP_STS)
This bit will be set to '1' while “system powered-up by RING”
event occurs and can be reset when read.
System powered-up by RTC Alarm Status (ALMUP_STS)
This bit will be set to '1' while “system powered-up by RTC
Alarm” event occurs and can be set to '0' when read.
System powered-up by PowerButtonStatus (BTNUP_STS)
This bit will be set to '1' while “system powered-up by
PowerButton” events occur and can be set to '0' when read.
powered-up
Keyboard
Hot-Key
Status
6
RO
Password
Status
5
RO
4
RO
3
RO
2
RO
1
RO
0
RO
APC Register 07h
Default Value: 01h
Access:Read/Write
BIT
7
ACCESS
R/W
DESCRIPTION
Pin Function Selection for GPIO10/PME1# (PME1_EN)
0: Select GPIO10
1: Select PME1#
When PME1# is selected, a low pulse longer than 30 us on this
pin will cause the PS_ON# signal to be asserted.
Pin Function Selection for CKE_S/ACPILED
0: Select CKE_S
1: Select ACPILED
6
R/W
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PDF描述
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參數(shù)描述
SIS776DN 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SIS776DN-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8
SiS778DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIS780DN 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SiS780DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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