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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SIS5595 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Pentium PCI System I/O Chipset |
| 中文描述： | 奔騰的PCI系統(tǒng)I / O芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 135/216頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2208K |
| 代理商： | SIS5595 |
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SiS5595 PCI System I/O Chipset
Preliminary V2.0 Nov. 2, 1998 129 Silicon Integrated Systems Corporation
2:1
R/W
GPO/GPCS#/GPCSW# selection
00: GPO
01: GPCS#
10: GPO
11: GPCSW#
When the ISA address fall in the range defined by Reg. 74h~76h
will cause GPCS1# to output low when GPCS# function is
selected.
When IOWC# is active and the ISA address fall in the range
defined by Reg. 74h~76h will cause GPCS1# to output low when
GPCSW# function is selected.
If GPCSW# is selected, this pin can be used to control an
external 74LS374 TTL to latch the values on SD[7:0]. In this way,
the number of general-purpose outputs can be expanded to 8.
GPCS0# quick control
When this bit is enabled and GPCS0# is programmed as output
mode, the GPCS0# is driven from ORGated ( SA1, SA12, SA13,
SA14, SA15).
0 : Disable
1 : Enable
0
R/W
Register 78h
GPCS0#/GPCS1# De-bounce Counter Control Register
Default Value : 00h
Access :
Read/Write
ACCESS
R/W
R/W
BIT
7:4
3:0
DESCRIPTION
GPCS0# address A[11:8] mask control
GPCS0# and GPCS1# De-bounce duration timer
Bit[3:0] specify the duration of de-bounce in multiples of
4.58ms.
Register 79h/7Ah/7Bh
System Standby Timer 0/1/2 Reading Register
Default Value : 00h
Access :
BIT
Read/Write
ACCESS
R/W
DESCRIPTION
7:0
The maximum counting value for these timers is FFh. When the
System Standby Timer expires, a SMI# or SCI will be generated.
The following three conditions will cause the System Standby
Timer to stop counting and return initial count value when read.
1.Both the associated SMI# and SCI enable bits are disabled.
2.An enabled reload event is active.
3.The corresponding System Standby Timer status bit at Reg.
64h~67h is set.
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| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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