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參數(shù)資料
| 型號： | SIS5595 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Pentium PCI System I/O Chipset |
| 中文描述： | 奔騰的PCI系統(tǒng)I / O芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 201/216頁 |
| 文件大?。?/td> | 2208K |
| 代理商： | SIS5595 |
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SiS5595 PCI System I/O Chipset
Preliminary V2.0 Nov. 2, 1998 195 Silicon Integrated Systems Corporation
Three of the operational registers (HceStatus, HceInput, and HceOutput) are accessible at
I/O address 60h and 64h when emulation is enabled. Reads and writes to the registers
using I/O addresses have side effects as outlined in the Table 7.8-2 Emulated Registers
Table 7.8-2 Emulated Registers
I/O
ADDRESS
CYCLE
TYPE
REGISTER
CONTENTS
ACCESSED/
MODIFIED
HceOutput
HceInput
SIDE EFFECTS
60h
60h
IN
IN from port 60h will set OutputFull in HceStatus to 0
OUT to port 60h will set InputFull to 1 and CmdData
to 0 in HceStatus.
IN from port 64h returns current value of HceStatus
with no other side effect.
OUT to port 64h will set InputFull to 0 and CmdData
in HceStatus to 1.
OUT
64h
IN
HceStatus
64h
OUT
HceInput
Register 100h
HceControl Register
Default Value: 00000000h
Access:Read/Write
BIT
31:9
8
ACCESS
DESCRIPTION
Reserved
A20State
Indicates current state of Gate A20 on keyboard controller. Used
to compare against value to 60h when GateA20Sequence is
active.
IRQ12Active
Indicates that a positive transition on IRQ12 from keyboard
controller has occurred. SW may write a 1 to this bit to clear it
(set it to 0). SW write of a 0 to this bit has no effect.
IRQ1Active
Indicates that a positive transition on IRQ1 from keyboard
controller has occurred. SW may write a 1 to this bit to clear it
(set it to 0). SW write of a 0 to this bit has no effect.
GateA20Sequence
Set by HC when a data value of D1h is written to I/O port 64h.
Cleared by HC on write to I/O port 64h of any value other than
D1h.
ExternalIRQEn
When set to 1, IRQ1 and IRQ12 from the keyboard controller
causes an emulation interrupt. The function controlled by this bit
is independent of the setting of the
EmulationEnable
bit in this
register.
R/W
7
R/W
6
R/W
5
R/W
4
R/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIS85 | SMT Power Inductor |
| SIS85-100 | SMT Power Inductor |
| SIS85-101 | SMT Power Inductor |
| SIS85-102 | SMT Power Inductor |
| SIS85-150 | SMT Power Inductor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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