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參數(shù)資料
| 型號： | SIS5595 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Pentium PCI System I/O Chipset |
| 中文描述： | 奔騰的PCI系統(tǒng)I / O芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 124/216頁 |
| 文件大?。?/td> | 2208K |
| 代理商： | SIS5595 |
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SiS5595 PCI System I/O Chipset
Preliminary V2.0 Nov. 2, 1998 118 Silicon Integrated Systems Corporation
BIT
31
ACCESS
R/W
DESCRIPTION
Wake-up Enable—Primary IDE Channel Device 0 Access
When set, any I/O access to the primary IDE channel device 0
associated ports will cause the wake-up status bit to be set.
Wake-up Enable—Secondary IDE Channel Device 0 Access
When set, any I/O access to the secondary IDE channel device 0
associated ports will cause the wake-up status bit to be set.
Wake-up Enable—Keyboard port Access
When set, any I/O access to the keyboard ports (60h, 64h) will
cause the wake-up status bit to be set.
Wake-up Enable—Serial Port 1 Access
When set, any I/O access to the Serial ports (3F8-3FFh, 3E8-
3EFh) will cause the wake-up status bit to be set.
Wake-up Enable--Serial Port 2 Access
When set, any I/O access to the Serial ports (2F8-2FFh, 2E8-
2EFh) will cause the wake-up status bit to be set.
Wake-up Enable—Parallel Port Access
When set, any I/O access to the Parallel ports (278-27Fh, 378-
37Fh or 3BC-3BEh) will cause the wake-up status bit to be set.
Wake-up Enable—DMA or USB Master Request Event
When set, a DMA or USB master request for PCI bus event will
cause the wake-up status bit to be set.
Wake-up Enable--IRQ 0, 1, 3~15, NMI Active Event
When set, any events from IRQ0, 1, 3-15 or NMI, with their
enable-bits in Register 68h~6Dh being enabled, will cause the
wake-up status bit to be set.
Wake-up Enable--Ring In Active Event
When set, an active event at the RING input will cause the wake-
up status bit to be set.
Wake-up Enable--Programmable 10 bit I/O Port Access Event
When set, any I/O access to the address defined in Reg. 5Ch ~
5Dh will cause the wake-up status bit to be set.
Wake-up Enable--Programmable 16 bit I/O Port Access Event
When set, any I/O access to the address defined in Reg. 5Eh ~
5Fh will cause the wake-up status bit to be set.
Wake-up Enable--Memory Address A0000h~AFFFFh, B0000
~BFFFFh Access
When set, any memory access which falls within A0000h
~AFFFFh, B0000h~BFFFFh will cause the wake-up status bit to
be set.
30
R/W
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25
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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