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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29PL-J60BAW011 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous-Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| 中文描述： | CMOS 3V電壓供電，同步讀/寫Flash存儲(chǔ)器并有增強(qiáng)VersatileIO控制 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 83/96頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 827K |
| 代理商： | S29PL-J60BAW011 |
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September 22, 2006 S29PL-J_00_A9
S29PL-J
81
D a t a
S h e e t
( A d v a n c e
I n f o r m a t i o n )
21. Protect/Unprotect
Note
Not 100% tested.
Figure 21.1
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
Table 21.1
Temporary Sector Unprotect
Parameter
Description
All Speed Options
Unit
JEDEC
Std
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
VHH
V
HH
Rise and Fall Time (See Note)
Min
250
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector Unprotect
Min
4
μs
t
RRB
RESET# Hold Time from RY/BY# High for Temporary
Sector Unprotect
Min
4
μs
RESET#
t
VIDR
V
ID
V
IL
or V
IH
V
ID
V
IL
or V
IH
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
t
RRB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29PL-J60BAW012 | CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous-Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
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| S29PL-J60BAW020 | CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous-Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| S29PL-J60BAW021 | CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous-Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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