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參數(shù)資料
| 型號： | MT16LSDT12864AG-133XX |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168 |
| 封裝： | MO-161, DIMM-168 |
| 文件頁數(shù)： | 18/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 954K |
| 代理商： | MT16LSDT12864AG-133XX |
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PDF: 09005aef8088b2e3/Source: 09005aef8088077a
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
SD8_16C64_128x64AG.fm - Rev. C 6/05 EN
25
2002 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
512MB (SR), 1GB (DR): (x64) 168-Pin SDRAM UDIMM
Serial Presence Detect
Notes: 1. The value of tRAS used for -13E modules is calculated from tRC - tRP. Actual device spec.
value is 37ns.
41
Device minimum active/auto-refresh time, tRC
60ns (-13E)
66ns (-133)
3C
42
3C
42
42-61
Reserved
00
62
SPD revision
REV. 2.0
02
63
Checksum for bytes 0–62
(-13E)
(-133)
F8
44
F9
45
64
Manufacturer’s JEDEC ID code
MICRON
2C
65-71
Manufacturer’s JEDEC ID code (continued)
FF
72
Manufacturing location
01 - 06
73-90
Module part number (ASCII)
Variable Data
91
PCB identification code
01-04
92
Identification code (continued)
000
00
93
Year of manufacture in BCD
Variable Data
94
Week of manufacture in BCD
Variable Data
95-98
Module serial number
Variable Data
99-125 Manufacturer-specific data (RSVD)
126
System frequency
100 MHz
(-13E/-133)
64
127
SDRAM component and clock detail
AF
FF
Table 22:
Serial Presence-Detect Matrix (continued)
VDD = +3.3V ±0.3V; “1”/“0”: Serial Data, “driven to HIGH”/“driven to LOW”
Byte
Description
Entry (Version)
MT8LSDT6464A
MT16LSDT12864A
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PDF描述 |
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| MT46H256M32L2JV-75IT:A | 256M X 32 DDR DRAM, 6 ns, PBGA168 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MT16LSDT1664A | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:8,16 MEG x 64 SDRAM DIMMs |
| MT16LSDT1664AG-10CC7 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM MOD SDRAM 1GBIT 168UDIMM - Trays |
| MT16LSDT1664AG-10EC1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM MOD SDRAM 1GBIT 168UDIMM - Trays |
| MT16LSDT1664AG-10EF7 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:168-Pin SDRAM DIMMs (x64) |
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