參數(shù)資料
型號(hào)： M5M4V4S40CTP-12
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
中文描述： 4分（2 -銀行甲131072字x 16位）同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 39/45頁(yè)
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代理商： M5M4V4S40CTP-12
39
M5M4V4S40CTP-12, -15
Feb ‘97
Preliminary
MITSUBISHI LSIs
4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev. 0.3)
READ to WRITE (dual bank)
BL=4, CL=3
CLK
/CS
/RAS
/CAS
/WE
CKE
A0-7
A8
BA
DQ
Db
Db
Db
Db
Qa
Qa
tWR
tRC
tCAC
for output disable
tRAC
READa
DQML
DQMU
Xa
tRAS
tRCD
tRP
Xb
tRRD
tRAS
tRCD
Xa
Y
Xb
Y
Xa
Xa
ACTa
PREa
PREb
WRITEb
ACTb
ACTa
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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M5M4V64S30ATP-12 64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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M5M4V64S20ATP-12 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
M5M4V64S20ATP-8 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
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