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參數(shù)資料
| 型號： | M5M4V4S40CTP-12 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4分（2 -銀行甲131072字x 16位）同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 30/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 1458K |
| 代理商： | M5M4V4S40CTP-12 |
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30
M5M4V4S40CTP-12, -15
Feb ‘97
Preliminary
MITSUBISHI LSIs
4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev. 0.3)
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Ta=0 ~ 70°C, Vdd = VddQ = 3.3 ± 0.3v, Vss = VssQ = 0v, unless otherwise noted)
Output Load Condition
Symbol Parameter
Limits
Unit
-12
-15
Min.
Max.
Min.
Max.
tAC
Access time from CLK
CL=1
27
30
ns
CL=2
9.5
12
ns
CL=3
8
9
ns
tCAC
Column Access Time
24.5
30
ns
tRAC
Row Access Time
54.5
60
ns
tOH
Output Hold time from
CLK
3
3
ns
tOLZ
Delay time, output low
impedance from CLK
0
0
ns
tOHZ
Delay time, output high
impedance from CLK
3
8
3
10
ns
V
OUT
V
REF
=1.4V
50pF
50 ohm
V
TT
=1.4V
DQ
CLK
Output Timing Measurement
Reference Point
1.4V
1.4V
1.4V
1.4V
DQ
CLK
tAC
tOH
tOHZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5M4V4S40CTP-15 | 4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-10L | 64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-10 | Octal D-Type Transparent Latches With 3-State Outputs 20-TSSOP -40 to 85 |
| M5M4V64S30ATP-12 | 64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-8 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M5M4V4S40CTP-15 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-10L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-12 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
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