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參數(shù)資料
| 型號： | M5M4V4S40CTP-12 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4分（2 -銀行甲131072字x 16位）同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 19/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 1458K |
| 代理商： | M5M4V4S40CTP-12 |
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19
M5M4V4S40CTP-12, -15
Feb ‘97
Preliminary
MITSUBISHI LSIs
4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev. 0.3)
[ Read Interrupted by Precharge ]
A burst read operation can be interrupted by a precharge of the same bank. The READ to PRE interval is
a minimum of one CLK. A PRE command disables the data output, depending on the /CAS latency. The
figures below show examples of how the output data is terminated with a PRE command.
Read Interrupted by Precharge (BL=4)
CLK
Command
DQ
READ
PRE
Q0
Q1
Q2
Q3
CL=3
Command
DQ
READ
PRE
Q0
Q1
Q2
Command
DQ
READ
PRE
Q0
Command
DQ
READ
PRE
Q0
Q1
Q2
Q3
CL=2
Command
DQ
READ
PRE
Q0
Q1
Q2
Command
DQ
READ
PRE
Q0
Command
DQ
READ
PRE
Q0
Q1
Q2
Q3
CL=1
Command
DQ
READ
PRE
Q0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5M4V4S40CTP-15 | 4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-10L | 64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-10 | Octal D-Type Transparent Latches With 3-State Outputs 20-TSSOP -40 to 85 |
| M5M4V64S30ATP-12 | 64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-8 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M5M4V4S40CTP-15 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-10L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-12 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
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