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參數(shù)資料
| 型號： | M5M4V4S40CTP-12 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4分（2 -銀行甲131072字x 16位）同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 2/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 1458K |
| 代理商： | M5M4V4S40CTP-12 |
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2
M5M4V4S40CTP-12, -15
Feb ‘97
Preliminary
MITSUBISHI LSIs
4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev. 0.3)
BLOCK DIAGRAM
Address Buffer
A0-8
BA
Control Signal Buffer
/CS /RAS /CAS
/WE
DQML
CLK
CKE
Clock Buffer
Memory Array
Bank #0
Memory Array
Bank #1
Control Circuitry
I/O Buffer
DQ0-15
Mode
Register
DQMU
Type Designation Code
M 5M 4 V 4 S 4 0 C TP - 12
Cycle Time (min.) 12: 12ns, 15: 15ns
Package Type TP: TSOP(II)
Process Generation
Function 0: Random Column, 1: 2N-rule
Organization 2n 4: x16
Synchronous DRAM
Density 4:4M bits
Interface V:LVTTL
Memory Style (DRAM)
Use, Recommended Operating Conditions, etc
Mitsubishi Main Designation
These rules are only applied to the Synchronous DRAM family.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| M5M4V4S40CTP-15 | 4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M5M4V4S40CTP-15 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
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