參數(shù)資料
型號： M5M4V4S40CTP-12
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
中文描述： 4分（2 -銀行甲131072字x 16位）同步DRAM
文件頁數(shù)： 33/45頁
文件大小： 1458K
代理商： M5M4V4S40CTP-12
33
M5M4V4S40CTP-12, -15
Feb ‘97
Preliminary
MITSUBISHI LSIs
4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev. 0.3)
READ CYCLE (single bank)
BL=4, CL=3
CLK
/CS
/RAS
/CAS
/WE
CKE
A0-7
A8
BA
DQ
Q
Q
Q
Q
tCAC
tRAC
READ
tRC
DQMU
DQML
tRCD
X
Y
X
X
X
tRAS
tRP
ACT
PRE
ACT
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PDF描述
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M5M4V64S30ATP-12 64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM
M5M4V64S30ATP-8 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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M5M4V64S20ATP-12 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
M5M4V64S20ATP-8 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
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