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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M5M4V4S40CTP-12 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4分（2 -銀行甲131072字x 16位）同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 16/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 1458K |
| 代理商： | M5M4V4S40CTP-12 |
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16
M5M4V4S40CTP-12, -15
Feb ‘97
Preliminary
MITSUBISHI LSIs
4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev. 0.3)
READ with Auto-Precharge (BL=4, CL=3)
CLK
Command
A0-7
A8
BA
DQ
ACT
Xa
Xa
0
READ
Y
1
0
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
ACT
Xa
Xa
0
Internal Precharge Begins
tRCD
tRP
Dual Bank Interleaving READ (BL=4, CL=3)
CLK
Command
A0-7
A8
BA
DQ
ACT
Xa
Xa
0
READ
Y
0
0
READ
Y
0
1
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qb0
Qb1
Qb2
ACT
Xb
Xb
1
PRE
0
0
tRCD
/CAS latency
Burst Length
READ Auto-Precharge Timing (BL=4)
CLK
Command
ACT
READ
Internal Precharge Begins
DQ
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
DQ
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
DQ
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
CL=3
CL=2
CL=1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5M4V4S40CTP-15 | 4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-10L | 64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-10 | Octal D-Type Transparent Latches With 3-State Outputs 20-TSSOP -40 to 85 |
| M5M4V64S30ATP-12 | 64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S30ATP-8 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M5M4V4S40CTP-15 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:4M (2-BANK x 131072-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-10L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-12 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
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