參數(shù)資料
型號(hào): 28F016XS
廠商: Intel Corp.
英文描述: 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲(chǔ)器)
中文描述: 16兆位同步閃存(1,600位同步閃速存儲(chǔ)器)
文件頁(yè)數(shù): 48/54頁(yè)
文件大小: 830K
代理商: 28F016XS
28F016XS FLASH MEMORY
E
48
5.10
Power-Up and Reset Timings
RP#
(P)
3/5#
(Y)
0V
3.3V
V POWER-UP
5.0V
V
CC
(3V,5V)
4.5V
PLYL
t
t
PL5V
YLPH
t
YHPH
t
0532_18
NOTE:
For read timings following reset see Section 5.7.
Figure 17. V
CC
Power-Up and RP# Reset Waveforms
Symbol
Parameter
Notes
Min
Max
Unit
t
PLYL
t
PLYH
t
YLPH
t
YHPH
t
PL5V
t
PL3V
NOTES:
1. The t
and/or t
YHPH
times must be strictly followed to guarantee all other read and program specifications for the
28F016XS.
2. The power supply may start to switch concurrently with RP# going low.
RP# Low to 3/5# Low (High)
0
μs
3/5# Low (High) to RP# High
0
μs
RP# Low to V
CC
at 4.5V (Minimum)
RP# Low to V
CC
at 3V (Min) or 3.6V (Max)
2
0
μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F020 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲(chǔ)器)
28F128J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器)
28F320J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
28F640J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
28F128 3 Volt Intel StrataFlash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F0181-1SR-10 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric)
28F020 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F020-150 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020G12 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020N12 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: