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參數(shù)資料
| 型號： | 28F016XS |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲器) |
| 中文描述： | 16兆位同步閃存（1,600位同步閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 36/54頁 |
| 文件大小： | 830K |
| 代理商： | 28F016XS |
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28F016XS FLASH MEMORY
E
36
CHCL
t
t
CLK
CH
t
CL
t
CLCH
t
0532_09
Figure 10. CLK Waveform
CLK
ADDR
ADV#
OE#
CEx#
A
Even
Even
Odd
DATA
1 CLK Periods
Odd
t
GHQZ
1
tAVCH
tCHAX
t
VLCH
t
CHVH
t
ELCH
t
GLCH
t
GLQX
t
OH
t
EHQZ
t
CHQX
t
CHQV
t
ELQX
0532_10
NOTE:
1.
The 28F016XS can sustain an optimized burst access throughout the 28F016XS array assuming alternating bank
accesses; the length of the burst access is dictated by the control CPU or bus architecture.
Figure 11. Read Timing Waveform
(1)
(SFI Configuration = 1, Alternate-Bank Accesses)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F020 | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲器) |
| 28F128J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲器) |
| 28F320J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲器) |
| 28F640J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲器) |
| 28F128 | 3 Volt Intel StrataFlash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F0181-1SR-10 | 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric) |
| 28F020 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F020-150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020G12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020N12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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