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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F016XS |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 16兆位同步閃存（1,600位同步閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 3/54頁 |
| 文件大小： | 830K |
| 代理商： | 28F016XS |
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E
28F016XS FLASH MEMORY
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CONTENTS
PAGE
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1.0 INTRODUCTION............................................7
1.1 Product Overview ........................................7
2.0 DEVICE PINOUT...........................................10
2.1 Lead Descriptions......................................12
3.0 MEMORY MAPS...........................................14
3.1 Extended Status Register Memory Map.....15
4.0 BUS OPERATIONS, COMMANDS AND
STATUS REGISTER DEFINITIONS.............16
4.1 Bus Operations for Word-Wide Mode
(BYTE# = V
IH
)...........................................16
4.2 Bus Operations for Byte-Wide Mode
(BYTE# = V
IL
)...........................................17
4.3 28F008SA
—Compatible Mode Command
Bus Definitions..........................................18
4.4 28F016XS—Enhanced Command Bus
Definitions.................................................19
4.5 Compatible Status Register .......................20
4.6 Global Status Register...............................21
4.7 Block Status Register ................................22
4.8 Device Configuration Code........................23
4.9 SFI Configuration Table.............................23
5.0 ELECTRICAL SPECIFICATIONS .................24
5.1 Absolute Maximum Ratings .......................24
5.2 Capacitance...............................................24
5.3 Transient Input/Output Reference
Waveforms...............................................26
5.4 DC Characteristics (V
CC
= 3.3V) ................27
5.5 DC Characteristics (V
CC
= 5.0V) ................30
5.6 Timing Nomenclature.................................33
5.7 AC Characteristics—Read Only
Operations................................................34
5.8 AC Characteristics for WE#—Controlled
Write Operations.......................................40
5.9 AC Characteristics for CEX#—Controlled
Write Operations.......................................44
5.10 Power-Up and Reset Timings ..................48
5.11 Erase and Program Performance.............49
6.0 MECHANICAL SPECIFICATIONS................51
APPENDIX A: Device Nomenclature and
Ordering Information..................................53
APPENDIX B: Additional Information...............54
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F020 | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F128J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F320J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器) |
| 28F640J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器) |
| 28F128 | 3 Volt Intel StrataFlash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F0181-1SR-10 | 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric) |
| 28F020 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F020-150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020G12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020N12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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