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參數(shù)資料
| 型號： | 28F016XS |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲器) |
| 中文描述： | 16兆位同步閃存（1,600位同步閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 33/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 830K |
| 代理商： | 28F016XS |
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E
5.6
28F016XS FLASH MEMORY
33
Timing Nomenclature
All 3.3V system timings are measured from where signals cross 1.5V.
For 5.0V systems, use the standard JEDEC cross point definitions (standard testing) or from where signals
cross 1.5V (high speed testing).
Each timing parameter consists of five characters. Some common examples are defined below:
t
ELCH
time(t) from CE# (E) going low (L) to CLK (C) going high (H)
t
AVCH
time(t) from address (A) valid (V) to CLK (C) going high (H)
t
WHDX
time(t) from WE# (W) going high (H) to when the data (D) can become undefined (X)
Pin Characters
Pin States
A
Address Inputs
H
High
C
CLK (Clock)
L
Low
D
Data Inputs
V
Valid
Q
Data Outputs
X
Driven, but Not Necessarily Valid
E
CE# (Chip Enable)
Z
High Impedance
F
BYTE# (Byte Enable)
L
Latched
G
OE# (Output Enable)
W
WE# (Write Enable)
P
RP# (Deep Power-Down Pin)
R
RY/BY# (Ready Busy)
V
ADV# (Address Valid)
Y
3/5# Pin
5V
V
CC
at 4.5V Minimum
3V
V
CC
at 3.0V Minimum
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F020 | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲器) |
| 28F128J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲器) |
| 28F320J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲器) |
| 28F640J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲器) |
| 28F128 | 3 Volt Intel StrataFlash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F0181-1SR-10 | 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric) |
| 28F020 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F020-150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020G12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020N12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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