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參數(shù)資料
| 型號： | 28F016XS |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲器) |
| 中文描述： | 16兆位同步閃存（1,600位同步閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 29/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 830K |
| 代理商： | 28F016XS |
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E
5.4
V
CC
= 3.3V ± 5%, T
A
= 0°C to +70°C
3/5# = Pin Set High for 3.3V Operations
28F016XS FLASH MEMORY
29
DC Characteristics
(Continued)
Symbol
V
PPLK
Parameter
Notes
3,6
Min
0.0
Typ
Max
1.5
Units
V
Test Conditions
V
PP
Erase/Program
Lock Voltage
V
PP
during
Program/Erase
Operations
V
PP
during
Program/Erase
Operations
V
CC
Erase/Program
Lock Voltage
V
PPH1
3
4.5
5.0
5.5
V
V
PPH2
3
11.4
12.0
12.6
V
V
LKO
2.0
V
NOTES:
1. All currents are in RMS unless otherwise noted. Typical values at V
CC
= 3.3V, V
PP
= 12.0V or 5.0V, T = +25°C. These
currents are valid for all product versions (package and speeds).
2. I
CCES
is specified with the device de-selected. If the device is read while in erase suspend mode, current draw is the sum of
I
CCES
and I
CCR
.
3. Block erases, programs and lock block operations are inhibited when V
≤
V
and not guaranteed in the ranges
between V
PPLK
(max)
and V
PPH1
(min), between V
PPH1
(max) and V
PPH2
(min) and above V
PPH2
(max).
4. Automatic Power Savings (APS) reduces I
CCR
to 3 mA typical in static operation.
5. CMOS Inputs are either V
CC
± 0.2V or GND ± 0.2V. TTL Inputs are either V
IL
or V
IH
.
6. Sampled, but not 100% tested. Guaranteed by design.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F020 | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲器) |
| 28F128J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲器) |
| 28F320J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲器) |
| 28F640J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲器) |
| 28F128 | 3 Volt Intel StrataFlash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F0181-1SR-10 | 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric) |
| 28F020 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F020-150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020G12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020N12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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