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參數(shù)資料
| 型號： | 28F016XS |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 16兆位同步閃存（1,600位同步閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 47/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 830K |
| 代理商： | 28F016XS |
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E
28F016XS FLASH MEMORY
47
CLK
NOTE 6
V
V
POWDEEP
IH
IL
ADDRESSES (A)
tAVAV
t
EHAX
IN
A
STAREAD EXTENDED
WRITE DATA-WRITE OR
WRITE VALID ADDRESS
& DATA (DATA-WRITE) OR
ERASE CONFIRM COMMAND
AUTOR ERASE DELAY
V
IL
ADDRESSEVIH
t
AVAV
AVEH
t
tEHAX
IN
A
STREAD COMPATIBLE
WRITE READ EXTENDED
REGISTER COMMAND
A=RA
NOTE 1
NOTE 2
NOTE 3
AVEH
t
WE# (W)
OE# (G)
RP# (P)
VPP
CEx#(E)
(V)
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
tEHWH
WLEL
t
t
EHDX
EHEL
t
V
V
IH
IL
t
ELEH
t
DVEH
VIH
IL
V
VIH
VIL
PHEL
t
HIGH Z
IN
D
DIN
t
tQVVL2
DIN
IL
V
PPH1
V
PPH2
V
tVPEH2
DATA (D/Q)
EHQV1,2
V
V
RY/BY# (R)
tEHRL
tEHCH
OH
OL
D
IN
NOTE 4
D
OUT
t
RHPL
tGHEL
NOTE 5
PPLK
V
ADV#
NOTE 6
NOTE 7
NOTE 8
tVPEH1
t
QVVL1
0532_15
NOTES:
1. This address string depicts data program/erase cycles with corresponding verification via ESRD.
2. This address string depicts data program/erase cycles with corresponding verification via CSRD.
3. This cycle is invalid when using CSRD for verification during data program/erase operations.
4. CE
X
# is defined as the latter of CE
0
# or CE
1
# going low or the first of CE
0
# or CE
1
# going high.
5. RP# low transition is only to show t
RHPL
; not valid for above read and program cycles.
6. Data program/erase cycles are asynchronous; CLK and ADV# are ignored.
7. V
PP
voltage during data program/erase operations valid at both 12.0V and 5.0V.
8. V
PP
voltage equal to or below V
PPLK
provides complete flash memory array protection.
Figure 16. AC Waveforms for CE
#
—Controlled Write Operations,
Illustrating a Two Command Write Sequence Followed by an Extended Status Register Read
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F020 | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F128J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F320J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器) |
| 28F640J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器) |
| 28F128 | 3 Volt Intel StrataFlash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F0181-1SR-10 | 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric) |
| 28F020 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F020-150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020G12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020N12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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