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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPD46128953-X |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 4M-WORD BY 32-BIT ADDRESS / DATA MULTIPLEXED EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
| 中文描述： | 128兆位CMOS移動(dòng)指明內(nèi)存分詞由32位地址/數(shù)據(jù)復(fù)用溫度范圍 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 39/60頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 468K |
| 代理商： | UPD46128953-X |
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Preliminary Data Sheet M17506EJ1V1DS
39
μ
PD46128953-X
DC Characteristics (Recommended Operating Conditions Unless Otherwise Noted)
Parameter
Symbol
Test condition
Density of
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
data hold
Input leakage current
I
LI
V
IN
= 0 V to V
DD
Q
1.0
+
1.0
μ
A
A/DQ, DQ, /WAIT
I
LO
V
DQ
, V
OUT
= 0 V to V
DD
Q, /CE1 = V
IH
1.0
+
1.0
μ
A
leakage current
or /WE = V
IL
or /OE = V
IH
Operating supply current
I
CCA1
/CE1 = V
IL
, Burst length = 1, frequency = 83 MHz
60
mA
I
DQ
= 0 mA
frequency = 66 MHz
55
Operating supply
I
CCA2
/CE1 = V
IL
, Burst length = 8, frequency = 83MHz
40
mA
Burst current
I
DQ
= 0 mA
frequency = 66MHz
35
Standby supply current
I
SB1
/CE1
≥
V
DD
Q
0.2 V,
128M bits
T.B.D.
μ
A
CE2
≥
V
DD
Q
0.2 V
I
SB2
/CE1
≥
V
DD
Q
0.2 V,
64M bits
T.B.D.
CE2
≤
0.2 V
32M bits
T.B.D.
16M bits
T.B.D.
0M bit
T.B.D.
Output HIGH voltage
V
OH
I
OH
=
0.5 mA
0.8V
DD
Q
V
Output LOW voltage
V
OL
I
OL
= 1 mA
0.2V
DD
Q
V
Remark
V
IN
: Input voltage, V
OUT
: output voltage, V
DQ
: Input / Output voltage
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