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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LRS1338A |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | Stacked Chip 8M Flash Memory and 2M SRAM |
| 中文描述： | 堆疊芯片800萬(wàn)快閃記憶體以及2M SRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/36頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 218K |
| 代理商： | LRS1338A |
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Stacked Chip (8M Flash & 2M SRAM)
LRS1338A
Data Sheet
31
READ CYCLE
T
A
= -40
°
C to + 85
°
C, V
CC
= 2.7 V to 3.6 V
NOTE:
*Active output to HIGH impedance to output active tests specified for
a ±200 mV transition from steady state levels into the test load.
WRITE CYCLE
T
A
= -40
°
C to + 85
°
C, V
CC
= 2.7 V to 3.6 V
NOTE:
*Active output to HIGH impedance to output active tests specified for
a ±200 mV transition from steady state levels into the test load.
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
T
A
= -40
°
C to + 85
°
C
PARAMETER
SYMBOL
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
MIN.
85
MAX.
UNIT
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Read cycle time
Address access time
CE access time
Output enable to output valid
Output hold from address change
CE LOW to output active*
OE LOW to output active*
CE HIGH to output in HIGH impedance*
OE HIGH to output in HIGH impedance*
85
85
45
10
10
5
0
0
30
30
PARAMETER
SYMBOL
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
t
WZ
t
OHZ
MIN.
85
75
75
0
65
0
35
0
5
0
0
MAX.
UNIT
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Write cycle time
Chip enable to end of write
Address valid to end of write
Address setup time
Write pulse width
Write recovery time
Input data setup time
Input data hold time
WE HIGH to output active*
WE LOW to output in HIGH impedance*
OE HIGH to output in HIGH impedance*
30
30
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Data retention supply voltage
V
CCDR
CE
≥
V
CCDR
- 0.2 V
V
CCDR
= 3 V,
CE
≥
V
CCDR
–
0.2 V, T
A
= 25
°
C
V
CCDR
= 3 V, CE
≥
V
CCDR
–
0.2 V
2
3.6
V
Data retention supply voltage
I
CCDR
0.6
1.0
μA
35
μA
ns
ms
Chip enable setup time
Chip enable hold time
t
CDR
t
R
0
5
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PDF描述 |
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