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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LRS1338A |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | Stacked Chip 8M Flash Memory and 2M SRAM |
| 中文描述： | 堆疊芯片800萬快閃記憶體以及2M SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 30/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 218K |
| 代理商： | LRS1338A |
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LRS1338A
Stacked Chip (8M Flash & 2M SRAM)
30
Data Sheet
SRAM Absolute Maximum Ratings
NOTES:
1. The maximum applicable voltage on any pins with respect to GND.
2. -2.0 V undershoot is allowed when the pulse width is less than 20 ns.
SRAM Recommended DC Operating Conditions
T
A
= -40
°
C to +85
°
C
NOTES:
1. -2.0 V undershoot is allowed when the pulse width is less than 20 ns.
SRAM DC Electrical Characteristics
T
A
= -40
°
C to + 85
°
C, V
CC
= 2.7 V to 3.6 V
NOTES:
*Reference value at T
A
= 25
°
C, V
CC
= 3.0 V.
SRAM AC Electrical Characteristics
AC TEST CONDITIONS
NOTE:
*Including scope and jig capacitance.
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
NOTES
Supply voltage
Input voltage
Operating temperature
Storage temperature
V
CC
V
IN
T
OPR
T
STG
-0.2 to +4.6
-0.3 to V
CC
+0.3
-40 to +85
-65 to +125
V
V
°
C
°
C
1
1, 2
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
NOTE
Supply voltage
V
CC
V
IH
V
IL
2.7
2.0
-0.3
3.0
3.6
V
V
V
Input voltage
V
CC
+ 0.3
0.8
1
PARAMETER
SYMBOL
CONDITION
MIN.
TYP.
*
MAX.
UNIT
Input leakage current
Output leakage current
I
LI
I
LO
V
IN
= 0V to V
CC
CE = V
IH
or OE = V
IH
or WE = V
IL
, V
I/O
= 0 V to V
CC
CE = V
IL
, V
IN
= V
IL
or V
IH
t
CYCLE
= MIN., I
I/O
= 0 mA
CE
≤
0.2 V, V
IN
≥
V
CC
–
0.2 V or
≤
0.2 V
t
CYCLE
= 200 ns, I
I/O
= 0 mA
CE
≥
V
CC
–
0.2 V
CE = V
IH
I
OL
= 2.0 mA
I
OH
= -1.0 mA
-1.0
-1.0
1.0
1.0
μA
μA
Operating supply
current
I
CC1
40
mA
I
CC2
25
mA
Standby current
I
SB
I
SB1
V
OL
V
OH
0.6
40
3.0
0.4
μA
mA
V
V
Output voltage
2.4
PARAMETER
Input pulse level
Input rise and fall time
Input and output timing
reference level
Output load*
RATINGS
0.6 V to 2.2 V
5 ns
1.5 V
1 TTL + C
L
(30 pF)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LRS1341 | Stacked Chip 16M Flash Memory and 2M SRAM |
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| LRS250-DO | LIGHT EMITTING DIODES |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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