參數(shù)資料
型號(hào)： IBM038329NL6B
廠商： IBM Microeletronics
英文描述： 256K x 32 Synchronous Graphics RAM(256K x 32 高性能8M位CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM（帶內(nèi)置的圖形性能）)
中文描述： 256K × 32同步圖形RAM（256K × 32位高性能800萬(wàn)的CMOS同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶內(nèi)置的圖形性能））
文件頁(yè)數(shù)： 24/66頁(yè)
文件大?。?/td> 952K
代理商： IBM038329NL6B
IBM038329NL6B
IBM038329NP6B
256K x 32 Synchronous Graphics RAM
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03K4292.E35604
Revised 3/98
I
CC
Specifications
(0
°
C
≤
T
A
≤
70
°
C; V
CC
/V
CCQ
= 3.3V
±
0.3V)
Symbol
Parameter
Test Condition
CAS
Latency
Maximum
Unit
Notes
-6R7
-7R5
-10
I
CC1
Operating Current
Burst Length = 1
t
RC
≥
t
RC
(Min)
t
CK
≥
t
CK
(Min)
I
O= 0mA
3
300
275
185
mA
1
2
275
250
175
I
CC2
P
Precharge Standby Current in
Power Down Mode
CKE
≤
VIL(Max) t
CK
=15ns
3
3
3
mA
I
CC2
PS
CKE
≤
VIL(Max) t
CK
= Infinity
3
3
3
I
CC2
N
Precharge Standby Current in
Non Power Down Mode
CKE
≥
VIH(Min) t
CK
=15ns
Input change every 30ns
45
45
45
mA
I
CC2
NS
CKE
≥
VIH(Min) t
CK
=Infinity
No input change
20
20
20
I
CC3
P
Active Standby Current in
Power Down Mode
CKE
≤
VIL(Max) t
CK
=15ns
3
3
3
mA
I
CC3
PS
CKE
≤
VIL(Max) t
CK
= Infinity
3
3
3
I
CC3
N
Active Standby Current in
Non Power Down Mode
CKE
≥
VIH(Min) t
CK
=15ns
Input change every 30ns
50
50
50
mA
I
CC3
NS
CKE
≥
VIH(Min) t
CK
=Infinity
No input change
25
25
25
I
CC4
Operating Current
(Burst Mode)
t
RC
=Infinity
I
O
= 0mA
Dual Bank Interleave
Continuous
3
225
200
190
mA
1, 2
2
175
150
140
I
CC5
Auto Refresh Current
t
RC
≥
t
RC
(Min)
3
180
150
135
mA
3
2
150
130
120
I
CC6
Self Refresh Current
CKE = 0.2V
3
3
3
mA
1. Measured with outputs open, inputs 0-3V.
2. Assumes minimum column address update cycle.
3. Refresh period is 16ms.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IBM038329NP6B 256K x 32 Synchronous Graphics RAM(256K x 32 高性能8M位CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM（帶內(nèi)置的圖形性能）)
IBM041812PQKB 64K X 18 BURST SRAM(64K X 18高性能可猝發(fā)同步CMOS靜態(tài)RAM)
IBM041813PPLB 64K X 18 BURST PIPELINE SRAM(1M (64K X 18)同步可猝發(fā)流水線式線式高性能靜態(tài)RAM)
IBM041813PQKB 64K X 18 Burst Pipeline SRAM(1M（64K X 18）高性能同步可猝發(fā)管線式靜態(tài)RAM)
IBM041814PPLB 64K X 18 BURST SRAM(1M (64K X 18)同步可猝發(fā)高性能靜態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IBM038329NQ6A-7R5 制造商:IBM 功能描述:
IBM041812PQKB10 制造商:IBM 功能描述:*
IBM041812PQKB11 制造商:IBM 功能描述:*
IBM041813PQKB5 制造商:IBM 功能描述:
IBM0418A4ACLAA-4F 制造商:IBM 功能描述:
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