參數(shù)資料
型號(hào)： W9712G8JB-3
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： DDR DRAM, PBGA60
封裝： 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60
文件頁(yè)數(shù)： 45/86頁(yè)
文件大小： 1039K
代理商： W9712G8JB-3
W9712G8JB
Publication Release Date: Oct. 12, 2010
- 5 -
Revision A01
3. KEY PARAMETERS
SYM.
SPEED GRADE
DDR2-1066
DDR2-800
DDR2-667
Bin(CL-tRCD-tRP)
7-7-7
5-5-5/6-6-6
5-5-5
Part Number Extension
-18
-25
-3
tCK(avg)
Average clock period
@CL = 7
Min.
1.875 nS
Max.
7.5 nS
@CL = 6
Min.
2.5 nS
Max.
7.5 nS
8 nS
@CL = 5
Min.
3 nS
2.5 nS
3 nS
Max.
7.5 nS
8 nS
@CL = 4
Min.
3.75 nS
Max.
7.5 nS
8 nS
@CL = 3
Min.
5 nS
Max.
8 nS
tRCD
Active to Read/Write Command Delay Time
Min.
13.125 nS
12.5 nS
15 nS
tRP
Precharge to Active Command Period
Min.
13.125 nS
12.5 nS
15 nS
tRC
Active to Ref/Active Command Period
Min.
53.125 nS
52.5 nS
55 nS
tRAS
Active to Precharge Command Period
Min.
40 nS
IDD0
Operating current
Max.
70 mA
65 mA
60 mA
IDD1
Operation current (Single bank)
Max.
75 mA
70 mA
65 mA
IDD4R
Operating burst read current
Max.
120 mA
95 mA
90 mA
IDD4W
Operating burst write current
Max.
135 mA
120 mA
115 mA
IDD5B
Burst refresh current
Max.
90 mA
80 mA
IDD6
Self refresh current
Max.
6 mA
IDD7
Operating bank interleave read current
Max.
170 mA
140 mA
130 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W971GG6IB-25 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84
W9751G6JB-25A 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84
W9751G8JB-18 DDR DRAM, PBGA84
W9812G21H-6I 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86
W9812G21H-6C 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO86
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W971GG6JB 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 8 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM
W971GG6JB-18 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:1GB DDR2 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 1.875NS
W971GG6JB-25 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:64MBX16 DDR2 制造商:Winbond 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA
W971GG6JB25I 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
W971GG6JB-25I 制造商:Winbond Electronics 功能描述:-40~85 1GB DDR2 FOR INDUSTRY
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