參數(shù)資料
型號(hào)： W9712G8JB-3
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： DDR DRAM, PBGA60
封裝： 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60
文件頁(yè)數(shù)： 41/86頁(yè)
文件大?。?/td> 1039K
代理商： W9712G8JB-3
W9712G8JB
Publication Release Date: Oct. 12, 2010
- 46 -
Revision A01
AC Characteristics and Operating Condition for -25/-3 speed grades, continued
SYM.
SPEED GRADE
DDR2-800 (-25)
DDR2-667 (-3)
UNITS25 NOTES
Bin(CL-tRCD-tRP)
5-5-5/6-6-6
5-5-5
PARAMETER
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
tWPRE
Write preamble
0.35
0.35
tCK(avg)
tWPST
Write postamble
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK(avg)
12
tRPRE
Read preamble
0.9
1.1
0.9
1.1
tCK(avg)
14,36
tRPST
Read postamble
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK(avg)
14,37
tDS(base) DQ and DM input setup time
50
100
pS
16,27,29,
41,42,44
tDH(base) DQ and DM input hold time
125
175
pS
17,27,29,
41,42,44
tDS(ref)
DQ and DM input setup time
250
300
pS
16,27,29,
41,42,44
tDH(ref)
DQ and DM input hold time
250
300
pS
17,27,29,
41,42,44
tDIPW
DQ and DM input pulse width for each
input
0.35
0.35
tCK(avg)
tHZ
Data-out high-impedance time from
CLK/ CLK
tAC,max
tAC,max
pS
15,35
tLZ(DQS)
DQS/ DQS -low-impedance time from
CLK/ CLK
tAC,min
tAC,max
tAC,min
tAC,max
pS
15,35
tLZ(DQ)
DQ low-impedance time from CLK/ CLK
2 x tAC,min
tAC,max
2 x tAC,min
tAC,max
pS
15,35
tHP
Clock half pulse width
Min.
(tCH(abs),
tCL(abs))
Min.
(tCH(abs),
tCL(abs))
pS
32
tQHS
Data hold skew factor
300
340
pS
33
tQH
DQ/DQS output hold time from DQS
tHP - tQHS
tHP - tQHS
pS
34
tXSNR
Exit Self Refresh to a non-Read command
tRFC + 10
tRFC + 10
nS
23
tXSRD
Exit Self Refresh to a Read command
200
200
nCK
tXP
Exit precharge power down to any
command
2
2
nCK
tXARD
Exit active power down to Read command
2
2
nCK
18
tXARDS
Exit active power down to Read command
(slow exit, lower power)
8 - AL
7 - AL
nCK
18,19
tAOND
ODT turn-on delay
2
nCK
20
tAON
ODT turn-on
tAC,min
tAC,max + 0.7
tAC,min
tAC,max + 0.7
nS
20,35
tAONPD
ODT turn-on (Power Down mode)
tAC,min + 2
2 x tCK(avg) +
tAC,max + 1
tAC,min + 2
2 x tCK(avg) +
tAC,max + 1
nS
tAOFD
ODT turn-off delay
2.5
nCK
21,39
tAOF
ODT turn-off
tAC,min
tAC,max + 0.6
tAC,min
tAC,max + 0.6
nS
21,38,39
tAOFPD
ODT turn-off (Power Down mode)
tAC,min + 2
2.5 x tCK(avg)
+
tAC,max + 1
tAC,min + 2
2.5 x tCK(avg)
+
tAC,max + 1
nS
tANPD
ODT to power down Entry Latency
3
3
nCK
tAXPD
ODT Power Down Exit Latency
8
nCK
tMRD
Mode Register Set command cycle time
2
2
nCK
tMOD
MRS command to ODT update delay
0
12
0
12
nS
23
tOIT
OCD Drive mode output delay
0
12
0
12
nS
23
tDELAY
Minimum time clocks remain ON after
CKE asynchronously drops LOW
tIS+tCK(avg)+
tIH
tIS+tCK(avg)+
tIH
nS
22
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W971GG6IB-25 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84
W9751G6JB-25A 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84
W9751G8JB-18 DDR DRAM, PBGA84
W9812G21H-6I 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86
W9812G21H-6C 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO86
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W971GG6JB 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:8M ? 8 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM
W971GG6JB-18 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:1GB DDR2 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 1.875NS
W971GG6JB-25 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:64MBX16 DDR2 制造商:Winbond 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA
W971GG6JB25I 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84WBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):CAV24C32WE-GT3OSTR
W971GG6JB-25I 制造商:Winbond Electronics 功能描述:-40~85 1GB DDR2 FOR INDUSTRY
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*