參數(shù)資料
型號(hào)： W9712G8JB-3
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： DDR DRAM, PBGA60
封裝： 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60
文件頁(yè)數(shù)： 32/86頁(yè)
文件大小： 1039K
代理商： W9712G8JB-3
W9712G8JB
Publication Release Date: Oct. 12, 2010
- 38 -
Revision A01
9.4 ODT DC Electrical Characteristics
(0°C ≤ TCASE ≤ 85°C for -18/-25/-3, VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V)
PARAMETER/CONDITION
SYM.
MIN.
NOM.
MAX.
UNIT
NOTES
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=0,1; 75
Rtt1(eff)
60
75
90
1
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=1,0; 150
Rtt2(eff)
120
150
180
1
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=1,1; 50
Rtt3(eff)
40
50
60
1, 2
Deviation of VM with respect to VDDQ/2
ΔVM
-6
+6
%
1
Notes:
1. Test condition for Rtt measurements.
2. Optional for DDR2-667, mandatory for DDR2-800 and DDR2-1066.
Measurement Definition for Rtt(eff):
Apply VIH (ac) and VIL (ac) to test pin separately, then measure current I(VIH (ac)) and I(VIL (ac))
respectively. VIH (ac), VIL (ac), and VDDQ values defined in SSTL_18.
Rtt(eff) = (VIH(ac) – VIL(ac)) /(I(VIHac) – I(VILac))
Measurement Definition for ΔVM:
Measure voltage (VM) at test pin (midpoint) with no load.
ΔVM = ((2 x Vm / VDDQ) – 1) x 100%
9.5 Input DC Logic Level
(0°C ≤ TCASE ≤ 85°C for -18/-25/-3, VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V)
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
DC input logic HIGH
VIH(dc)
VREF + 0.125
VDDQ + 0.3
V
DC input logic LOW
VIL(dc)
-0.3
VREF - 0.125
V
9.6 Input AC Logic Level
(0°C ≤ TCASE ≤ 85°C for -18/-25/-3, VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V)
PARAMETER
SYM.
-18
-25/-3
UNIT
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
AC input logic HIGH
VIH (ac)
VREF + 0.200
VREF + 0.200
VDDQ + VPEAK1
V
AC input logic LOW
VIL (ac)
VREF - 0.200
VSSQ - VPEAK1
VREF - 0.200
V
Note:
1. Refer to the page 66 sections 9.14.1 and 9.14.2 AC Overshoot/Undershoot specification table for VPEAK value: maximum
peak amplitude allowed for Overshoot/Undershoot.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W971GG6IB-25 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84
W9751G6JB-25A 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84
W9751G8JB-18 DDR DRAM, PBGA84
W9812G21H-6I 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86
W9812G21H-6C 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO86
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W971GG6JB 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 8 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM
W971GG6JB-18 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:1GB DDR2 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 1.875NS
W971GG6JB-25 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:64MBX16 DDR2 制造商:Winbond 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin WBGA
W971GG6JB25I 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
W971GG6JB-25I 制造商:Winbond Electronics 功能描述:-40~85 1GB DDR2 FOR INDUSTRY
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*