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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W9712G8JB-3 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM, PBGA60 |
| 封裝： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 33/86頁 |
| 文件大小： | 1039K |
| 代理商： | W9712G8JB-3 |
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W9712G8JB
Publication Release Date: Oct. 12, 2010
- 39 -
Revision A01
9.7
Capacitance
SYM.
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
CCK
Input Capacitance , CLK and CLK
1.0
2.0
pF
CDCK
Input Capacitance delta , CLK and CLK
0.25
pF
CI
input Capacitance, all other input-only pins
1.0
2.0
pF
CDI
Input Capacitance delta, all other input-only pins
0.25
pF
CIO
Input/output Capacitance, DQ, DM,
DQS, DQS ,RDQS, RDQS
2.5
3.5
pF
CDIO
Input/output Capacitance delta, DQ, DM,
DQS, DQS ,RDQS, RDQS
0.5
pF
9.8
Leakage and Output Buffer Characteristics
SYM.
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
NOTES
IIL
Input Leakage Current
(0V
≤ VIN ≤ VDD)
-2
2
A
1
IOL
Output Leakage Current
(Output disabled, 0V
≤ VOUT ≤ VDDQ)
-5
5
A
2
VOH
Minimum Required Output Pull-up
VTT + 0.603
V
VOL
Maximum Required Output Pull-down
VTT - 0.603
V
IOH(dc)
Output Minimum Source DC Current
-13.4
mA
3, 5
IOL(dc)
Output Minimum Sink DC Current
13.4
mA
4, 5
Notes:
1. All other pins not under test = 0 V.
2. DQ, DQS, DQS , RDQS, RDQS are disabled and ODT is turned off.
3. VDDQ = 1.7 V; VOUT = 1.42 V. (VOUT - VDDQ)/IOH must be less than 21 for values of VOUT between VDDQ and VDDQ -
0.28V.
4. VDDQ = 1.7 V; VOUT = 0.28V. VOUT/IOL must be less than 21 for values of VOUT between 0 V and 0.28V.
5. The values of IOH(dc) and IOL(dc) are based on the conditions given in Notes 3 and 4. They are used to test drive current
capability to ensure VIHmin plus a noise margin and VILmax minus a noise margin are delivered to an SSTL_18 receiver.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W971GG6IB-25 | 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| W9751G6JB-25A | 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| W9751G8JB-18 | DDR DRAM, PBGA84 |
| W9812G21H-6I | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86 |
| W9812G21H-6C | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO86 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W971GG6JB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M ? 8 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W971GG6JB-18 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:1GB DDR2 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 1.875NS |
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| W971GG6JB25I | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| W971GG6JB-25I | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:-40~85 1GB DDR2 FOR INDUSTRY |
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