- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385639 > MT48V2M32LFFC (Micron Technology, Inc.) 512K x 32 x 4 banks 2.5V SDRAM(2.5V,512K x 32 x 4組同步動態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MT48V2M32LFFC |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 32 x 4 banks 2.5V SDRAM(2.5V,512K x 32 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 為512k × 32 × 4銀行2.5V的內存電壓（2.5V，512K采樣× 32 × 4組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 49/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 1058K |
| 代理商： | MT48V2M32LFFC |
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49
64Mb: x32 SDRAM, 2.5V
BatRam_25V.p65 – Rev. 0.7, Pub. 2/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
64Mb: x32, 2.5V
SDRAM
PRELIMINARY
WRITE – DQM OPERATION
1
NOTE:
1. For this example, the burst length = 4.
2. A8 and A9 = “ Don’t Care”
*CAS latency indicated in parentheses.
-8
-10
SYMBOL*
t
CKH
t
CKS
t
CMH
t
CMS
t
DH
t
DS
t
RCD
MIN
1
2.5
1
2.5
1
2.5
20
MAX
MIN
1
2.5
1
2.5
1
2.5
20
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TIMING PARAMETERS
-8
-10
SY MBOL*
t
AH
t
AS
t
CH
t
CL
t
CK (3)
t
CK (2)
t
CK (1)
MIN
1
2.5
3
3
8
13
25
MAX
MIN
1
2.5
3
3
10
13
25
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
DON’T CARE
UNDEFINED
tCH
tCL
tCK
tRCD
CKE
CLK
DQ
A10
tCMS
tAH
tAS
ROW
BANK
ROW
BANK
ENABLE AUTO PRECHARGE
D
IN
m
+ 3
tDH
tDS
D
IN
m
D
IN
m
+ 2
tCMH
COMMAND
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
NOP
tCMS
tCMH
tDH
tDS
tDH
tDS
tAH
tAS
tAH
tAS
DISABLE AUTO PRECHARGE
tCKH
tCKS
COLUMN
m
2
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
BA0, BA1
DQM 0-3
A0-A9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48V4M32LFFC | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT49H16M16 | THERMISTOR PTC 100OHM 110DEG RAD |
| MT49H16M16FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT49H8M32 | THERMISTOR PTC 100OHM 120DEG RAD |
| MT49H8M32FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48V32M16S2FG-10 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX16 SSDRAM PLASTIC 2BOC 2.5V - Trays |
| MT48V32M16S2FG-8 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP MOBILE SDRAM 512MBIT 2.5V 54FBGA - Bulk |
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