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參數(shù)資料
| 型號： | MT48V2M32LFFC |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 32 x 4 banks 2.5V SDRAM(2.5V,512K x 32 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 為512k × 32 × 4銀行2.5V的內(nèi)存電壓（2.5V，512K采樣× 32 × 4組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 46/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 1058K |
| 代理商： | MT48V2M32LFFC |
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46
64Mb: x32 SDRAM, 2.5V
BatRam_25V.p65 – Rev. 0.7, Pub. 2/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
64Mb: x32, 2.5V
SDRAM
PRELIMINARY
WRITE – WITH AUTO PRECHARGE
1
NOTE:
1. For this example, the burst length = 4.
2. This fast frequency,
t
WR >
t
CK, requires “ two clocks”.
3. A8 and A9 = “ Don’t Care”
*CAS latency indicated in parentheses.
-8
-10
SYMBOL*
t
CMS
t
DH
t
DS
t
RAS
t
RC
t
RCD
t
RP
t
WR
MIN
2.5
1
2.5
48
68
20
20
1 CLK +
7ns
MAX
MIN
2.5
1
2.5
50
70
20
20
1 CLK +
5ns
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
–
120,000
120,000
TIMING PARAMETERS
-8
-10
SY MBOL*
t
AH
t
AS
t
CH
t
CL
t
CK (3)
t
CK (2)
t
CK (1)
t
CKH
t
CKS
t
CMH
MIN
1
2.5
3
3
8
13
25
1
2.5
1
MAX
MIN
1
2.5
3
3
10
13
25
1
2.5
1
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
DON’T CARE
UNDEFINED
ENABLE AUTO PRECHARGE
tCH
tCL
tCK
tRP
tRAS
tRC
tRCD
CKE
CLK
DQ
A10
tCMH
tCMS
tAH
tAS
ROW
ROW
BANK
BANK
ROW
ROW
BANK
tWR
D
IN
m
tDH
tDS
D
IN
m
+ 1
D
IN
m
+ 2
D
IN
m
+ 3
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
ACTIVE
tAH
tAS
tAH
tAS
tDH
tDS
tDH
tDS
tDH
tDS
tCKH
tCKS
NOP
NOP
COLUMN
m
3
2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
T9
BA0, BA1
DQM 0-3
A0-A9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48V4M32LFFC | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT49H16M16 | THERMISTOR PTC 100OHM 110DEG RAD |
| MT49H16M16FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT49H8M32 | THERMISTOR PTC 100OHM 120DEG RAD |
| MT49H8M32FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48V32M16S2FG-10 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX16 SSDRAM PLASTIC 2BOC 2.5V - Trays |
| MT48V32M16S2FG-8 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP MOBILE SDRAM 512MBIT 2.5V 54FBGA - Bulk |
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