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參數(shù)資料
| 型號： | MT48V2M32LFFC |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 32 x 4 banks 2.5V SDRAM(2.5V,512K x 32 x 4組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 為512k × 32 × 4銀行2.5V的內(nèi)存電壓（2.5V，512K采樣× 32 × 4組同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 37/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 1058K |
| 代理商： | MT48V2M32LFFC |
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37
64Mb: x32 SDRAM, 2.5V
BatRam_25V.p65 – Rev. 0.7, Pub. 2/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
64Mb: x32, 2.5V
SDRAM
PRELIMINARY
CLOCK SUSPEND MODE
1
NOTE:
1. For this example, the burst length = 2, the CAS latency = 3, and auto precharge is disabled.
2. A8 and A9 = “ Don’t Care”
*CAS latency indicated in parentheses.
-8
-10
SYMBOL*
t
CKS
t
CMH
t
CMS
t
DH
t
DS
t
HZ (3)
t
HZ (2)
t
HZ (1)
t
LZ
t
OH
MIN
2.5
1
2.5
1
2.5
MAX
MIN
2.5
1
2.5
1
2.5
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
8
22
7
8
22
1
1
2.5
2.5
TIMING PARAMETERS
-8
-10
SYMBOL*
t
AC (3)
t
AC (2)
t
AC (1)
t
AH
t
AS
t
CH
t
CL
t
CK (3)
t
CK (2)
t
CK (1)
t
CKH
MIN
MAX
7
8
22
MIN
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
2.5
3
3
8
13
25
1
2.5
3
3
10
13
25
1
tCH
tCL
tCK
tAC
tLZ
DQM0-3
CLK
DQ
A10
tOH
D
OUT
m
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
BANK
tDH
D
OUT
e
tAC
tHZ
D
OUT
m
+ 1
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
READ
WRITE
DON’T CARE
UNDEFINED
CKE
tCKS
tCKH
BANK
COLUMN
m
tDS
D
OUT
e
+ 1
NOP
tCKH
tCKS
tCMH
tCMS
2
COLUMN
e
2
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
BA0, BA1
A0-A9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48V4M32LFFC | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT49H16M16 | THERMISTOR PTC 100OHM 110DEG RAD |
| MT49H16M16FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT49H8M32 | THERMISTOR PTC 100OHM 120DEG RAD |
| MT49H8M32FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48V32M16S2FG-10 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX16 SSDRAM PLASTIC 2BOC 2.5V - Trays |
| MT48V32M16S2FG-8 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP MOBILE SDRAM 512MBIT 2.5V 54FBGA - Bulk |
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