參數(shù)資料
型號： MT48H8M16LFB4-8IT:JTR
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54
文件頁數(shù)： 57/61頁
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PDF: 09005aef8237e877/Source: 09005aef8237e8d8
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128Mb_x16 Mobile SDRAM_Y25M_2.fm - Rev. A 6/06 EN
60
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16 Mobile SDRAM
Timing Diagrams
Preliminary
Figure 46:
Write – DQM Operation
Notes:
1. For this example, BL = 4.
2. A9 and A11 are “Don’t Care.”
DON’T CARE
tCH
tCL
tCK
tRCD
DQMH, DQML
CKE
CLK
A0–A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tCMS
tAH
tAS
ROW
BANK
ROW
BANK
ENABLE AUTO PRECHARGE
DIN m + 3
tDH
tDS
DIN m
DIN m + 2
tCMH
COMMAND
NOP
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
tCMS tCMH
tDH
tDS
tDH
tDS
tAH
tAS
tAH
tAS
DISABLE AUTO PRECHARGE
tCKH
tCKS
COLUMN m 2
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
相關PDF資料
PDF描述
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MT48LC4M32LFB5-10ES:G 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90
MT48V4M32TG-8XT 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54
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參數(shù)描述
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MT48H8M16LFF4-8 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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