參數(shù)資料
型號(hào)： MT48H8M16LFB4-8IT:JTR
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54
文件頁數(shù)： 36/61頁
文件大?。?/td> 2469K
PDF: 09005aef8237e877/Source: 09005aef8237e8d8
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mb_x16 Mobile SDRAM_Y25M_2.fm - Rev. A 6/06 EN
41
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16 Mobile SDRAM
Absolute Maximum Ratings
Preliminary
Table 13:
AC Functional Characteristics
Notes: 5, 6, 7, 8, 9, 11; notes appear on page 43
Parameter
Symbol
-8
-10
Units
Notes
READ/WRITE command to READ/WRITE command
tCCD
1
tCK
17
CKE to clock disable or power-down entry mode
tCKED
1
tCK
14
CKE to clock enable or power-down exit setup mode
tPED
1
tCK
14
DQM to input data delay
tDQD
0
tCK
17
DQM to data mask during WRITEs
tDQM
0
tCK
17
DQM to data high-impedance during READs
tDQZ
2
tCK
17
WRITE command to input data delay
tDWD
0
tCK
17
Data-in to ACTIVE command
tDAL
5
tCK
15, 21
Data-in to PRECHARGE command
tDPL
2
tCK
16, 21
Last data-in to burst STOP command
tBDL
1
tCK
17
Last data-in to new READ/WRITE command
tCDL
1
tCK
17
Last data-in to PRECHARGE command
tRDL
2
tCK
16, 21
LOAD MODE REGISTER command to ACTIVE or REFRESH
command
tMRD
2
tCK
26
Data-out to high-impedance from PRECHARGE command
CL = 3
tROH(3)
3
tCK
17
CL = 2
tROH(2)
2
tCK
17
Table 14:
IDD Specifications and Conditions
Notes: 1, 5, 6, 11, 13, 32; notes appear on page 43; VDD = VDDQ = +1.7V-1.95V
Parameter/Condition
Symbol
MAX
Units
Notes
-8
-10
Operating Current: Active Mode;
Burst = 2; READ or WRITE; tRC = tRC (MIN)
IDD150
50
mA
3, 18, 19
Standby Current: Power-Down Mode; All banks idle; CKE = LOW
IDD2
150
A
Standby Current: Active Mode;
CKE = HIGH; CS# = HIGH; All banks active after tRCD met;
No accesses in progress
IDD335
30
mA
3, 12, 19
Operating Current: Burst Mode; Continuous burst;
READ or WRITE; All banks active
IDD450
50
mA
3, 18, 19
Auto Refresh Current
CKE = HIGH; CS# = HIGH
tRC = tRFC (MIN)
IDD5
100
80
mA
3, 12, 18,
19
tRFC = 15.625s
IDD62
2
mA
DEEP POWER-DOWN
IZZ
10
A
29
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT48LC4M32TG-10 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54
MT48V8M16LFB4-8XT 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54
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MT48V4M32TG-8XT 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54
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MT48H8M16LFF4-10 IT 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT48H8M16LFF4-8 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT48H8M16LFF4-8 IT 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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