參數(shù)資料
型號(hào): MT48H8M16LFB4-8IT:JTR
元件分類: DRAM
英文描述: 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝: 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54
文件頁(yè)數(shù): 53/61頁(yè)
文件大小: 2469K
PDF: 09005aef8237e877/Source: 09005aef8237e8d8
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mb_x16 Mobile SDRAM_Y25M_2.fm - Rev. A 6/06 EN
57
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16 Mobile SDRAM
Timing Diagrams
Preliminary
Figure 43:
Single WRITE – Without Auto Precharge
Notes:
1. For this example, BL = 1, and the WRITE burst is followed by a “manual” PRECHARGE.
2. 15ns is required between <DIN m> and the PRECHARGE command, regardless of frequency.
3. A9 and A11 are “Don’t Care.”
4. PRECHARGE command not allowed or tRAS would be violated.
DISABLE AUTO PRECHARGE
ALL BANKS
tCH
tCL
tCK
tRP
tRAS
tRCD
tRC
DQMH, DQML
CKE
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tCMH
tCMS
tAH
tAS
ROW
BANK
ROW
BANK
t WR
DIN m
tDH
tDS
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP 4
PRECHARGE
ACTIVE
NOP
WRITE
ACTIVE
NOP
tAH
tAS
tAH
tAS
SINGLE BANK
tCKH
tCKS
COLUMN m 3
2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
DON’T CARE
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PDF描述
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