參數(shù)資料
型號： MT48H8M16LFB4-8IT:JTR
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54
文件頁數(shù)： 54/61頁
文件大?。?/td> 2469K
PDF: 09005aef8237e877/Source: 09005aef8237e8d8
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mb_x16 Mobile SDRAM_Y25M_2.fm - Rev. A 6/06 EN
58
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16 Mobile SDRAM
Timing Diagrams
Preliminary
Figure 44:
Single WRITE – With Auto Precharge
Notes:
1. For this example, BL = 1, and the WRITE burst is followed by a “manual” PRECHARGE.
2. 15ns is required between <DIN m> and the PRECHARGE command, regardless of frequency.
3. A9 and A11 are “Don’t Care.”
4. WRITE command not allowed or tRAS would be violated.
ENABLE AUTO PRECHARGE
tCH
tCL
tCK
tRP
tRAS
tRCD
tRC
DQMH, DQML
CKE
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tCMH
tCMS
tAH
tAS
ROW
BANK
ROW
BANK
tWR
DIN m
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP3
NOP
ACTIVE
NOP3
WRITE
NOP
ACTIVE
tAH
tAS
tAH
tAS
tDH
tDS
tCKH
tCKS
NOP
COLUMN m 2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
T9
DON’T CARE
相關PDF資料
PDF描述
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MT48V4M32TG-8XT 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54
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