參數(shù)資料
型號(hào)： MT48H8M16LFB4-8IT:JTR
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54
文件頁(yè)數(shù)： 33/61頁(yè)
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PDF: 09005aef8237e877/Source: 09005aef8237e8d8
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mb_x16 Mobile SDRAM_Y25M_2.fm - Rev. A 6/06 EN
39
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16 Mobile SDRAM
Absolute Maximum Ratings
Preliminary
Absolute Maximum Ratings
Stresses greater than those listed may cause permanent damage to the device. This is a
stress rating only, and functional operation of the device at these or any other conditions
above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reli-
ability.
Parameter
Symbol
MIN
MAX
Units
Voltage on VDD/VDDQ Supply
Relative to VSS
VDD/
VDDQ
-0.35
+2.8
V
Voltage on Inputs, NC or I/O Pins
Relative to VSS
VIN
-0.35
+2.8
V
Operating Temperature
Commercial
Industrial
TA
0
-40
+70
+85
°C
Storage Temperature (plastic)
TSTG
-55
+150
°C
Table 10:
DC Electrical Characteristics and Operating Conditions
Notes: 1, 5, 6; notes appear on page 43; VDD = VDDQ = +1.7V-1.95V
Parameter/Condition
Symbol
MIN
MAX
Units
Notes
Supply Voltage
VDD
1.7
1.95
V
I/O Supply Voltage
VDDQ1.7
1.95
V
Input High Voltage: Logic 1; All inputs
VIH
0.8 x
VDDQ
VDD +0.3
V
Input Low Voltage: Logic 0; All inputs
VIL
-0.3
+0.3
V
Output High Voltage: All inputs
VOH
0.9xVDDQ–
V
Output Low Voltage: All inputs
VOL
–0.2
V
Input Leakage Current:
Any input 0V
≤ VIN ≤ VDD (All other pins not under test = 0V)
II
-1.0
1.0
A
Output Leakage Current: DQ disabled; 0V
≤ VOUT ≤ VDDQ
IOZ
-1.5
1.5
A
Table 11:
AC Electrical Characteristics and Operating Conditions
VDD = 1.7V–1.9V; VDDQ = 1.7V–1.9V
Parameter/Condition
Symbol
MIN
MAX
Units
Notes
Input High Voltage: Logic 1; All inputs
VIH
1.4
-
V
Input Low Voltage: Logic 0; All inputs
VIL
-+0.4
V
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PDF描述
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