參數(shù)資料
型號： MSM548333
廠商： OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.
英文描述： 240,384-Word×8-bit + 240,384-Word×4-bit Triple Port type Field Memory(雙存儲塊分別為240,384字×8位和240,384字×4位三口型場存儲器)
中文描述： 240384 -字× 8位240384 -字× 4位的三場端口類型內存（雙存儲塊分別為240384字× 8位和240384字× 4位三口型場存儲器）
文件頁數(shù)： 41/42頁
文件大?。?/td> 421K
代理商： MSM548333
Semiconductor
MSM548333
41/42
RCLK
t
RCLK
t
WRCLL
Low
RADE1/RX
\
\
t
RRXS1
t
RRXH1
t
RRYS1
t
RRYH1
t
RRXDS1
RE1/RY
t
RRYDS1
t
REDH1
t
RES1
t
RRDH1
t
RRS1
t
RRH1
t
RRDS1
t
RINS1
t
RINH1
t
RINDS1
Valid
Valid
High-Z
t
AC1
t
OH1
Low
t
RRXS2
t
RRXH2
t
RRXDS2
t
RRS2
t
RRH2
t
RRDS2
t
RINS2
t
RINH2
t
RINDS2
t
RCLKY
t
WRCLLY
t
WRCLHY
t
REDHY2
t
RESY2
t
RRYSY2
t
RRYHY2
Valid
Valid
High-Z
t
ACY2
t
OHY2
\
\
\
\
RR1/TR
\
\
RXINC1
\
\
DOY1/0 - 7
\
\
RADE2/RX
\
\
RR2/TR
\
\
RXINC2
\
\
RCLKY2
\
\
REY2/RY
\
\
DOY2/0 - 7
\
\
RCLKC2
\
\
REC2/RY
\
\
DOC2/0 - 3
\
\
DOC1/0 - 3
t
SREY2
t
SRE1
t
RRXDH1
t
RRYDH1
t
RINDH1
t
RRXDH2
t
RRDH2
t
RINDH2
t
RRYDSY2
t
RRYDHY2
t
RCLKC
t
WRCLLC
t
WRCLHC
t
REDHC2
t
RESC2
t
RRYSC2
t
RRYHC2
Valid
Valid
High-Z
t
ACC2
t
OHC2
t
SREC2
t
RRYDSC2
t
RRYDHC2
t
WRCLH
Read Address Jump Mode
Note :Both the line address and word address are reset to the initialized addresses.
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PDF描述
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MSM56V16160F 2-Bank x 524,288 Word x 16 Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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