- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365273 > MSM548333 (OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.) 240,384-Word×8-bit + 240,384-Word×4-bit Triple Port type Field Memory(雙存儲塊分別為240,384字×8位和240,384字×4位三口型場存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MSM548333 |
| 廠商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | 240,384-Word×8-bit + 240,384-Word×4-bit Triple Port type Field Memory(雙存儲塊分別為240,384字×8位和240,384字×4位三口型場存儲器) |
| 中文描述： | 240384 -字× 8位240384 -字× 4位的三場端口類型內(nèi)存（雙存儲塊分別為240384字× 8位和240384字× 4位三口型場存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 22/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 421K |
| 代理商： | MSM548333 |
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Semiconductor
MSM548333
22/42
AC Characteristics (4/4)
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max.
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
Min.
5
7
5
7
7
7
5
7
5
7
5
7
3
Symbol
t
RYAS1
t
RYAH1
t
RAS2
t
RAH2
t
RADH2
t
RADS2
t
RXAS2
t
RXAH2
t
RYASY2
t
RYAHY2
t
RYASC2
t
RYAHC2
t
T
Parameter
Y2 and C2 Serial Read X Address Setup Time
Y2 and C2 Serial Read X Address Hold Time
Y2 Serial Read Y Address Setup Time
Y2 Serial Read Y Address Hold Time
C2 Serial Read Y Address Setup Time
C2 Serial Read Y Address Hold Time
Transition Time (Rise and Fall)
Y1 and C1 Serial Read Y Address Setup Time
Y1 and C1 Serial Read Y Address Hold Time
Y2 and C2 Serial Read Address Input Active Setup Time
Measurement Conditions: (V
CC
= 3.3 V ±0.3 V, Ta = 0 to 70°C)
Y2 and C2 Serial Read Address Input Active Hold Time
Y2 and C2 Serial Read Address Input Inactive Hold Time
Y2 and C2 Serial Read Address Input Inactive Setup Time
Note :
Measurement conditions
Input pulse level
Input timing reference level
Output timing reference level
Input rise/fall time
Load condition
: V
IH
= V
CC
– 0.3 V, V
IL
= 0.5 V
: V
IH
= V
CC
– 0.3 V, V
IL
= 0.5 V
: V
OH
= 2.2 V, V
OL
= 0.7 V
: 3 ns
: CL = 30 pF (Oscilloscope and tool capacity included)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSM54V24616 | Dual 128K×16 Dynamic RAM(2組128K×16動態(tài)RAM) |
| MSM56V16160DH | 2-Bank 512K×16 Synchronous Dynamic RAM(2組512K×16動態(tài)RAM) |
| MSM56V16160D | 2-Bank x 524,288-Word x 16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| MSM56V16160F | 2-Bank x 524,288 Word x 16 Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| MSM56V16800E | 2-Bank x 1,048,576-Word x 8-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MSM54V12222A-30TS-K | 制造商:OKI Semiconductor 功能描述:FIELD/FRAME/LINE MEMORY, 44 Pin, Plastic, TSOP |
| MSM54V12222B-25JDR17 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MSM54V12222B-25JSDR1 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MSM54V12222B-25T3-K7 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MSM54V12222B-25T3R17 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
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