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參數(shù)資料
| 型號： | MSM56V16160D |
| 廠商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | 2-Bank x 524,288-Word x 16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2，銀行甲524,288字× 16位同步動態(tài)隨機存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 341K |
| 代理商： | MSM56V16160D |
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Semiconductor
MSM56V16160D/DH
This version: Mar. 1998
1/30
DESCRIPTION
The MSM56V16160D/DH is a 2-bank
￥
524,288-word
￥
16-bit synchronous dynamic RAM,
fabricated in Oki's CMOS silicon-gate process technology. The device operates at 3.3 V. The
inputs and outputs are LVTTL compatible.
FEATURES
Silicon gate, quadruple polysilicon CMOS, 1-transistor memory cell
2-bank
￥
524,288-word
￥
16-bit configuration
3.3 V power supply,
±
0.3 V tolerance
Input
: LVTTL compatible
Output
: LVTTL compatible
Refresh : 4096 cycles/64 ms
Programmable data transfer mode
–
CAS
latency (1, 2, 3)
–
CAS
latency (2, 3)*
1
– Burst length (1, 2, 4, 8, full page)
– Burst length (1, 2, 4, 8)*
1
– Data scramble (sequential, interleave)
*
1
: H version only.
CBR auto-refresh, Self-refresh capability
Package:
50-pin 400 mil plastic TSOP (Type II)
(TSOPII50-P-400-0.80-K)
(Product : MSM56V16160D/DH-xxTS-K)
xx indicates speed rank.
PRODUCT FAMILY
2-Bank
￥
524,288-Word
￥
16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
Peimnay
Family
Access Time (Max.)
t
AC2
MSM56V16160D-10
MSM56V16160D-12
MSM56V16160DH-15
Max.
Frequency
100 MHz
83 MHz
66 MHz
9 ns
10 ns
9 ns
9 ns
14 ns
9 ns
t
AC3
E2G1049-18-33
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSM56V16160F | 2-Bank x 524,288 Word x 16 Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| MSM56V16800E | 2-Bank x 1,048,576-Word x 8-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| MSM56V16800F | Replaced by THS6042 : SpeedPlus(TM) Dual, High Output, Current-Feedback Operational Amplifier 8-HSOP |
| MSM5718C50 | 2M×9 Dynamic RAM(2M×9動態(tài)RAM) |
| MSM5716C50 | 2M×8 Dynamic RAM(2M×8動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MSM56V16160J-10T3R17 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MSM56V16160J-75T3-K7 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MSM56V16160K-8T3-K | 功能描述:IC SDRAM 16M 125MHZ 50TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| MSM56V16400F-60T3KR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MSM56V16800F-10TS-K | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
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