參數(shù)資料
型號： MSM548333
廠商： OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.
英文描述： 240,384-Word×8-bit + 240,384-Word×4-bit Triple Port type Field Memory(雙存儲塊分別為240,384字×8位和240,384字×4位三口型場存儲器)
中文描述： 240384 -字× 8位240384 -字× 4位的三場端口類型內(nèi)存（雙存儲塊分別為240384字× 8位和240384字× 4位三口型場存儲器）
文件頁數(shù)： 24/42頁
文件大?。?/td> 421K
代理商： MSM548333
Semiconductor
MSM548333
24/42
Write Cycle (WE Control)
Write Cycle (IE Control)
Note :In the WE/WY = "L" cycle, the write address pointer is not incremented and no DIN data is
written.
Note :In the IE = "L" cycle, the write address pointer is incremented, though no DIN data is written
and the memory data is held.
WCLK
t
WCLK
N CYCLE
(N-1)CYCLE
(N-2)CYCLE
(N+2) CYCLE
(N+1) CYCLE
Low
WADE/RX
\
\
IE
t
WEH
t
WEDS
t
WEDH
t
WES
\
\
\
\
WXINC
\
\
WE/WY
\
\
DINY/0 - 7
\
\
DINC/0 - 3
High
Low
WR/TR
\
\
Low
Valid
D(N+2)
Valid
D(N+1)
Valid
D(N)
Valid
D(N-1)
Valid
D(N-2)
Valid
D(N-3)
WCLK
t
WCLK
N CYCLE
(N-1)CYCLE
(N-2)CYCLE
(N+3) CYCLE
(N+2) CYCLE
Low
WADE/RX
\
\
WE/WY
t
IEH
t
IEDS
t
IEDH
t
IES
\
\
\
\
WXINC
\
\
IE
\
\
DINY/0 - 7
\
\
DINC/0 - 3
High
Low
WR/TR
\
\
Low
Valid
D(N+3)
Valid
D(N+2)
Valid
D(N)
Valid
D(N-1)
Valid
D(N-2)
Valid
D(N-3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MSM54V24616 Dual 128K×16 Dynamic RAM(2組128K×16動態(tài)RAM)
MSM56V16160DH 2-Bank 512K×16 Synchronous Dynamic RAM(2組512K×16動態(tài)RAM)
MSM56V16160D 2-Bank x 524,288-Word x 16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MSM56V16160F 2-Bank x 524,288 Word x 16 Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MSM56V16800E 2-Bank x 1,048,576-Word x 8-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MSM54V12222A-30TS-K 制造商:OKI Semiconductor 功能描述:FIELD/FRAME/LINE MEMORY, 44 Pin, Plastic, TSOP
MSM54V12222B-25JDR17 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
MSM54V12222B-25JSDR1 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
MSM54V12222B-25T3-K7 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
MSM54V12222B-25T3R17 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*