參數(shù)資料
型號(hào)： IBM038329NP6B
廠商： IBM Microeletronics
英文描述： 256K x 32 Synchronous Graphics RAM(256K x 32 高性能8M位CMOS同步動(dòng)態(tài)RAM（帶內(nèi)置的圖形性能）)
中文描述： 256K × 32同步圖形RAM（256K × 32位高性能800萬(wàn)的CMOS同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶內(nèi)置的圖形性能））
文件頁(yè)數(shù)： 56/66頁(yè)
文件大?。?/td> 952K
代理商： IBM038329NP6B
I
I
2
U
P
0
R
B
Row
Active
(A-Bank)
BA (A
9
)
CLK
DQ
A8
H or L
0 1 2
3
4
5
6 7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18 19
CAS
RAS
tRCD
tRP
Address
RAa
CAb
RBb
CAa
CAc
RAc
CBd
CBe
RAa
RAb
RAc
WE
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3
DAb0
DAc0
DBd0 DBe0
BRSW
Write
Command
with Auto
Precharge
(A-Bank)
(A-Bank)
Write
with I/O
Mask
(B-Bank)
CoWrite
with Auto
Precharge
CWrite
(A-Bank)
Command
Read
Command
(A-Bank)
Row Activate
with I/O Mask
(B-Bank)
BRSW
BRSW
BRSW
Row Activate
(A Bank)
(Burst Length = 4; CAS Latency = 2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IBM041812PQKB 64K X 18 BURST SRAM(64K X 18高性能可猝發(fā)同步CMOS靜態(tài)RAM)
IBM041813PPLB 64K X 18 BURST PIPELINE SRAM(1M (64K X 18)同步可猝發(fā)流水線式線式高性能靜態(tài)RAM)
IBM041813PQKB 64K X 18 Burst Pipeline SRAM(1M（64K X 18）高性能同步可猝發(fā)管線式靜態(tài)RAM)
IBM041814PPLB 64K X 18 BURST SRAM(1M (64K X 18)同步可猝發(fā)高性能靜態(tài)RAM)
IBM041814PQKB 64K X 18 BURST SRAM(1M（64K X 18）高性能同步可猝發(fā)CMOS靜態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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IBM041812PQKB10 制造商:IBM 功能描述:*
IBM041812PQKB11 制造商:IBM 功能描述:*
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IBM0418A4ACLAA-4F 制造商:IBM 功能描述:
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