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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB18T256324F-22 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| 中文描述： | 256兆GDDR3顯示內(nèi)存[600MHz的] |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 68/80頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2026K |
| 代理商： | HYB18T256324F-22 |
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HYB18T256324F–[16/20/22]
256-Mbit DDR SGRAM
Electrical Characteristics
Data Sheet
68
Rev. 1.11, 04-2005
10292004-DOXT-FS0U
4.5
Output Test Conditions
Figure 53
Output Test Circuit
Note:
V
DDQ
=2.0
±
0.1 V, Tc=0
°
C to 85
°
C, see
Table 1
4.6
Pin Capacitances
1. The input capcitance per pin group will not differ by more than this maximum amount for any given device.
2. The IO capacitance per RDQS and DQ byte / group will not differ by more than this maximum amount for any
given device.
Table 36
Parameter
Input capacitance:
CLK, CLK
Input capacitance delta:
CLK, CLK
Input capacitance:
A0-A11, BA0-1,CKE, CS, CAS, RAS, WE, CKE, RES
Input capacitance delta:
A0-A11, BA0-1,CKE, CS, CAS, RAS, WE, CKE, RES
Input capacitance:
DQ0-DQ31, RDQS0-RDQS3, WDQS0-WDQS3, DM0-
DM3
Input capacitance delta:
DQ0-DQ31, RDQS0-RDQS3, WDQS0-WDQS3, DM0-
DM3
Capacitances
Symbol
CCK
Min
2.0
Max
4.0
Unit
pF
Notes
CDCK
0.1
pF
1
CI
2.0
4.0
pF
DCI
0.6
pF
1
CIO
2.5
4.5
pF
DCIO
0.6
pF
2
DQ
DQS
60 Ohm
Test point
V
DDQ
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PDF描述 |
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