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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T256324F-22 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| 中文描述： | 256兆GDDR3顯示內(nèi)存[600MHz的] |
| 文件頁數(shù)： | 45/80頁 |
| 文件大小： | 2026K |
| 代理商： | HYB18T256324F-22 |
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HYB18T256324F–[16/20/22]
256-Mbit DDR SGRAM
Functional Description
Data Sheet
45
Rev. 1.11, 04-2005
10292004-DOXT-FS0U
3.7.8
Write followed by Precharge on same Bank
Figure 28
Write followed by Precharge on same Bank
1. Shown with nominal value of
t
DQSS.
2. WR and PRE commands are to same bank
3.
t
RAS
requirement must also be met before issuing PRE command
4. WDQS can only transition when data is applied at the chip input and during pre- and postambles
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$ESELECT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AFL-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160A-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256800AFL-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AFL-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256800AFL-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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