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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T256324F-22 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| 中文描述： | 256兆GDDR3顯示內(nèi)存[600MHz的] |
| 文件頁數(shù)： | 49/80頁 |
| 文件大?。?/td> | 2026K |
| 代理商： | HYB18T256324F-22 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁當前第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁
HYB18T256324F–[16/20/22]
256-Mbit DDR SGRAM
Functional Description
Data Sheet
49
Rev. 1.11, 04-2005
10292004-DOXT-FS0U
3.8.3
Consecutive Read Bursts
3.8.3.1
Gapless Bursts
Figure 32
Gapless Consecutive Read Bursts
1. The second RD command may be either for the same bank or another bank
2. Shown with nominal
t
AC
and
t
DQSQ
3. Example applies only when READ commands are issued to same device
4. RDQS will start driving high 1/2 cycle prior to the first falling edge and stop 1/2 cycle after the last rising edge
of RDQS
5. The DQ terminations are switched off 1 cycle before the first Read Data and on again 1 cycle after the last
Read data
#,+
#,+
. $
. $
#O M
. $
. $
. $
" #X
!DDR
#!3 LATENCY
2$13
2$13
$1
$1
$X
$X
$X
$Y $ Y $ Y
$Y
$X
#!3 LATENCY
$ONgT #ARE
$1S4
2$1 3 .O T DRIVEN
$X
$X
$X
$Y $ Y $ Y
$Y
$X
. $
. $
" # X
" # Y
"ANK #O LUMN ADDRESS X
"ANK #OLUMN ADDRESS Y
2 $
. $
2%!$
./0 OR $ESELECT
$X
$Y
$ ATA FROM " #X
$ ATA FROM " #Y
#OM
!DDR
#OMMAND
!DDRE SS " #
ERMINATIONS OFF
2$
. $
. $
. $
2$
" #Y
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AFL-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160A-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256800AFL-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AFL-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256800AFL-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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