- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370782 > HYB18T256324F-22 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T256324F-22 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| 中文描述： | 256兆GDDR3顯示內(nèi)存[600MHz的] |
| 文件頁數(shù)： | 13/80頁 |
| 文件大?。?/td> | 2026K |
| 代理商： | HYB18T256324F-22 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁當前第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁
HYB18T256324F–[16/20/22]
256-Mbit DDR SGRAM
Pin Configuration
Data Sheet
13
Rev. 1.11, 04-2005
10292004-DOXT-FS0U
RES
Input
Reset pin:
The RES pin is a
V
DDQ
CMOS input. RES is not internally terminated. The
LOW to HIGH transition of the Reset signal is used to latch the CKE value during Power
On in order to set the value of the termination resistors of the address and command
inputs. When RES is LOW, all terminations are switched off. The LOW to HIGH transition
of the RES signal must occur at the beginning of the power up sequence in order to insure
functionnality.
Supply
Voltage Reference:
V
ref
is the reference voltage input.
Supply
Power Supply:
Power and Ground for the internal logic.
Supply
I/O Power Supply:
Isolated Power and Ground for the output buffers to provide improved
noise immunity.
-
Please do not connect No Connect and Reserved for Future Use balls.
V
ref
V
DD
,
V
SS
V
DDQ
,
V
SSQ
NC, RFU
Table 3
Ball
Ball description
Type
Detailed Function
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AFL-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160A-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256800AFL-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AFL-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256800AFL-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。