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參數(shù)資料
| 型號： | HMT351V7BFR8C-H9 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM MODULE, DMA240 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DIMM-240 |
| 文件頁數(shù)： | 43/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1050K |
| 代理商： | HMT351V7BFR8C-H9 |
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Rev. 0.1 / Feb. 2010
48
Table 3 - IDD0 Measurement-Loop Patterna)
a) DM must be driven LOW all the time. DQS, DQS are MID-LEVEL.
b) DQ signals are MID-LEVEL.
CK,
CK
CKE
Sub
-Loop
Cy
cle
Number
Command
CS
RAS
CAS
WE
OD
T
BA[
2
:0]
A[1
5
:1
1]
A[1
0
]
A
[9:7]
A
[6:3]
A[2
:0]
Datab)
toggling
Sta
tic
Hi
gh
0
ACT
0
1
100
00
0
-
1,2
D, D
1
0
000
00
0
-
3,4
D, D
1
100
00
0
-
...
repeat pattern 1...4 until nRAS - 1, truncate if necessary
nRAS
PRE
0
1
000
00
0
-
...
repeat pattern 1...4 until nRC - 1, truncate if necessary
1*nRC+0
ACT
0
1
0
00
0
F
0
-
1*nRC+1, 2
D, D
1
0
00
0
F
0
-
1*nRC+3, 4
D, D
1
100
00
0
F
0
-
...
repeat pattern 1...4 until 1*nRC + nRAS - 1, truncate if necessary
1*nRC+nRAS
PRE
0
1
0
00
0
F
0
-
...
repeat pattern 1...4 until 2*nRC - 1, truncate if necessary
1
2*nRC
repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 1 instead
2
4*nRC
repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 2 instead
3
6*nRC
repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 3 instead
4
8*nRC
repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 4 instead
5
10*nRC
repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 5 instead
6
12*nRC
repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 6 instead
7
14*nRC
repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 7 instead
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| HMT351V7BMR4C-H9 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7BMR8C-G7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7BMR8C-H9 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
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