- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄296194 > HMT351V7BFR8C-H9 (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) DDR DRAM MODULE, DMA240 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HMT351V7BFR8C-H9 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM MODULE, DMA240 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DIMM-240 |
| 文件頁數(shù)： | 32/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1050K |
| 代理商： | HMT351V7BFR8C-H9 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁當(dāng)前第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁
Rev. 0.1 / Feb. 2010
38
DDR3-1333 Speed Bins
For specific Notes See “Speed Bin Table Notes” on page 39.
Speed Bin
DDR3-1333H
Unit
Note
CL - nRCD - nRP
9-9-9
Parameter
Symbol
min
max
Internal read command
to first data
tAA
13.5
(13.125)8
20
ns
ACT to internal read or
write delay time
tRCD
13.5
(13.125)8
—ns
PRE command period
tRP
13.5
(13.125)8
—ns
ACT to ACT or REF
command period
tRC
49.5
(49.125)8
—ns
ACT to PRE command
period
tRAS
36
9 * tREFI
ns
CL = 5
CWL = 5
tCK(AVG)
Reserved
ns
1,2, 3,4, 6
CWL = 6, 7
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CL = 6
CWL = 5
tCK(AVG)
2.5
3.3
ns
1, 2, 3, 6
CWL = 6
tCK(AVG)
Reserved
ns
1, 2, 3, 4, 6
CWL = 7
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CL = 7
CWL = 5
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CWL = 6
tCK(AVG)
1.875
< 2.5
ns
1, 2, 3, 4, 6
Reserved
CWL = 7
tCK(AVG)
Reserved
ns
1, 2, 3, 4
CL = 8
CWL = 5
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CWL = 6
tCK(AVG)
1.875
< 2.5
ns
1, 2, 3, 6
CWL = 7
tCK(AVG)
Reserved
ns
1, 2, 3, 4
CL = 9
CWL = 5, 6
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CWL = 7
tCK(AVG)
1.5
<1.875
ns
1, 2, 3, 4
CL = 10
CWL = 5, 6
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CWL = 7
tCK(AVG)
1.5
<1.875
ns
1, 2, 3
Reserved
ns
Supported CL Settings
6, 8, (7), 9, (10)
nCK
Supported CWL Settings
5, 6, 7
nCK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN4400 | NPN EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| HN5400 | PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications |
| HN5401 | PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications |
| HN546 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
| HN547 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HMT351V7BMR4C-G7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7BMR4C-H9 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7BMR8C-G7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7BMR8C-H9 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7CFR4A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:DDR3L SDRAM VLP Registered DIMM Based on 2Gb C-die |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。