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參數(shù)資料
| 型號： | HMT351V7BFR8C-H9 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM MODULE, DMA240 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DIMM-240 |
| 文件頁數(shù)： | 28/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1050K |
| 代理商： | HMT351V7BFR8C-H9 |
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Rev. 0.1 / Feb. 2010
34
Overshoot and Undershoot Specifications
Address and Control Overshoot and Undershoot Specifications
Address and Control Overshoot and Undershoot Definition
AC Overshoot/Undershoot Specification for Address and Control Pins
Parameter
DDR3-800 DDR3-1066 DDR3-1333 Units
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area. (See figure below)
0.4
V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area. (See figure below)
0.4
V
Maximum overshoot area above VDD (See figure below)
0.67
0.5
0.4
V-ns
Maximum undershoot area below VSS (See figure below)
0.67
0.5
0.4
V-ns
(A0-A15, BA0-BA3, CS, RAS, CAS, WE, CKE, ODT)
See figure below for each parameter definition
M aximum Am plitude
Overshoot Area
VDD
VSS
M axim um Am plitude
Undershoot Area
Tim e (ns)
Address and Control Overshoot and Undershoot Definition
Volts
(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN4400 | NPN EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| HN5400 | PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications |
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| HN546 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
| HN547 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HMT351V7BMR4C-G7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7BMR4C-H9 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7BMR8C-G7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7BMR8C-H9 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7CFR4A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:DDR3L SDRAM VLP Registered DIMM Based on 2Gb C-die |
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