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參數(shù)資料
| 型號： | HMT351V7BFR8C-H9 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM MODULE, DMA240 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DIMM-240 |
| 文件頁數(shù)： | 31/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1050K |
| 代理商： | HMT351V7BFR8C-H9 |
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Rev. 0.1 / Feb. 2010
37
DDR3-1066 Speed Bins
For specific Notes See “Speed Bin Table Notes” on page 39.
Speed Bin
DDR3-1066F
Unit
Note
CL - nRCD - nRP
7-7-7
Parameter
Symbol
min
max
Internal read command to
first data
tAA
13.125
20
ns
ACT to internal read or
write delay time
tRCD
13.125
—
ns
PRE command period
tRP
13.125
—
ns
ACT to ACT or REF
command period
tRC
50.625
—
ns
ACT to PRE command
period
tRAS
37.5
9 * tREFI
ns
CL = 5
CWL = 5
tCK(AVG)
Reserved
ns
1, 2, 3, 4, 5
CWL = 6
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CL = 6
CWL = 5
tCK(AVG)
2.5
3.3
ns
1, 2, 3, 5
CWL = 6
tCK(AVG)
Reserved
ns
1, 2, 3, 4
CL = 7
CWL = 5
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CWL = 6
tCK(AVG)
1.875
< 2.5
ns
1, 2, 3, 4
CL = 8
CWL = 5
tCK(AVG)
Reserved
ns
4
CWL = 6
tCK(AVG)
1.875
< 2.5
ns
1, 2, 3
Supported CL Settings
6, 7, 8
nCK
Supported CWL Settings
5, 6
nCK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN4400 | NPN EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| HN5400 | PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications |
| HN5401 | PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications |
| HN546 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
| HN547 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HMT351V7BMR4C-G7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7BMR4C-H9 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7BMR8C-G7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7BMR8C-H9 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7CFR4A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:DDR3L SDRAM VLP Registered DIMM Based on 2Gb C-die |
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