參數(shù)資料
型號： FMMT560A
文件頁數(shù)： 64/247頁
文件大?。?/td> 2493K
代理商： FMMT560A
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12
www.fairchildsemi.com
FM93C56A Rev. A
F
Physical Dimensions
inches (millimeters) unless otherwise noted
0.373 - 0.400
(9.474 - 10.16)
(0.092
+
1
2
3
4
8
7
6
5
0.250 - 0.005
(6.35 ± 0.127)
8
7
0.032 ± 0.005
(0.813 ± 0.127)
Pin #1
IDENT
Option 2
RAD
1
0.145 - 0.200
(3.683 - 5.080)
0.130 ± 0.005
(3.302 ± 0.127)
0.125 - 0.140
(3.175 - 3.556)
0.020
(0.508)
Min
0.018 ± 0.003
(0.457 ± 0.076)
0.100 ± 0.010
(2.540 ± 0.254)
90
°
± 4
°
Typ
0.040
(1.016)
0.039
(0.991)
Typ.
20
°
± 1
°
0.065
(1.651)
0.050
(1.270)
0.060
(1.524)
Pin #1 IDENT
Option 1
0.280MIN
(7.112)
0.300 - 0.320
(7.62 - 8.128)
(0.030
0.125
(3.175)
DIA
NOM
0.009 - 0.015
(0.229 - 0.381)
0.045 ± 0.015
(1.143 ± 0.381)
0.325-0.015
8.255-0.381
95
°
± 5
°
0.090
(2.286)
Molded Dual-In-Line Package (N)
Package Number N08E
Life Support Policy
Fairchild's products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without the express written
approval of the President of Fairchild Semiconductor Corporation. As used herein:
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or sustain life, and whose failure to perform, when properly
used in accordance with instructions for use provided in the
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injury to the user.
2. A critical component is any component of a life support device
or system whose failure to perform can be reasonably ex-
pected to cause the failure of the life support device or system,
or to affect its safety or effectiveness.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMMT92CSM General Purpose PNP Transistor In a Hermetically Sealed Ceramic Surface Mount Package(通用PNP晶體管( 陶瓷表貼封裝))
FMMT92CSM GENERAL PURPOSE PNP TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
FMN1.1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | CHIP
FMN1.2 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 33V V(BR)DSS | CHIP
FMN35.3 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 33V V(BR)DSS | CHIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMMT560TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High V 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT560TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighV 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT576 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
FMMT589 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23
FMMT589 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23
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