參數(shù)資料
型號： FMMT560A
文件頁數(shù)： 220/247頁
文件大?。?/td> 2493K
代理商： FMMT560A
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July 1998
FMMT560 / FMMT560A
NPN Low Saturation Transistor
These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A
continuous.
Absolute Maximum Ratings*
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C
-55 to +150
Operating and Storage Junction Temperature Range
T
J,
T
stg
A
2
Collector Current - Continuous
I
C
V
5
Emitter-Base Voltage
V
EBO
V
80
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
60
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
Units
FMMT560/FMMT560A
Parameter
Symbol
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C/W
250
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
mW
500
Total Device Dissipation
P
D
FMMT560/FMMT560A
Units
Max
Characteristic
Symbol
Page 1 of 2
fmmt560.lwpPrNA 7/1098 RevB
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT
TM
-3 (SOT-23)
F
Discrete Power & Signal
Technologies
C
E
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMMT92CSM General Purpose PNP Transistor In a Hermetically Sealed Ceramic Surface Mount Package(通用PNP晶體管( 陶瓷表貼封裝))
FMMT92CSM GENERAL PURPOSE PNP TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
FMN1.1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | CHIP
FMN1.2 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 33V V(BR)DSS | CHIP
FMN35.3 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 33V V(BR)DSS | CHIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMMT560TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High V 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT560TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighV 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT576 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
FMMT589 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23
FMMT589 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23
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