參數資料
型號: FMMT560A
文件頁數: 5/247頁
文件大?。?/td> 2493K
代理商: FMMT560A
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3
www.fairchildsemi.com
FM24C256 rev. A.2
F
Absolute Maximum Ratings
Ambient Storage Temperature
–65
°
C to +150
°
C
All Input or Output Voltages
with Respect to Ground
6.5V to –0.3V
Lead Temperature
(Soldering, 10 seconds)
+300
°
C
ESD Rating
4000V min.
Operating Conditions
Ambient Operating Temperature
FM24C256
FM24C256E
FM24C256V
0
°
C to +70
°
C
-40
°
C to +85
°
C
-40
°
C to +125
°
C
Positive Power Supply
FM24C256
FM24C256L
FM24C256LZ
4.5V to 5.5V
2.7V to 5.5V
2.7V to 5.5V
Standard V
CC
(4.5V to 5.5V) DC Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Limits
Typ
Units
Min
Max
I
CCA
Active Power Supply Current
f
SCL
= 100 kHz
f
SCL
= 400 kHz
0.5
1.0
mA
I
SB
Standby Current
V
IN
= GND or V
CC
10
50
μ
A
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= GND to V
CC
0.1
1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= GND to V
CC
0.1
1
μ
A
V
IL
Input Low Voltage
–0.3
V
CC
x 0.3
V
V
IH
Input High Voltage
V
CC
x 0.7
V
CC
+ 0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 2.1 mA
0.4
V
Low V
CC
(2.7V to 5.5V) DC Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Limits
Typ
Units
Min
Max
I
CCA
Active Power Supply Current
f
SCL
= 100 kHz
f
SCL
= 400 kHz
0.5
1.0
mA
I
SB
Standby Current for L
V
IN
= GND or V
CC
= 4.5V - 5.5V
V
IN
= GND or V
CC
= 2.7V - 4.5V
V
IN
= GND or V
CC
= 4.5V - 5.5V
V
IN
= GND or V
CC
= 2.7V - 4.5V
10
1
10
0.1
50
10
50
1
μ
A
(Note 1)
Standby Current for LZ
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= GND to V
CC
0.1
1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= GND to V
CC
0.1
1
μ
A
V
IL
Input Low Voltage
–0.3
V
CC
x 0.3
V
V
IH
Input High Voltage
V
CC
x 0.7
V
CC
+ 0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 2.1 mA
0.4
V
Capacitance
T
A
= +25
°
C, f = 1.0 MHz, V
CC
= 5V
Symbol
Test
Conditions
Max
Units
C
I/O
Input/Output Capacitance (SDA)
V
I/O
= 0V
8
pF
C
IN
Input Capacitance (A0, A1, A2, SCL)
V
IN
= 0V
6
pF
Note 1
: Typical values are for T
A
= 25
°
C and nominal supply voltage (5V).
相關PDF資料
PDF描述
FMMT92CSM General Purpose PNP Transistor In a Hermetically Sealed Ceramic Surface Mount Package(通用PNP晶體管( 陶瓷表貼封裝))
FMMT92CSM GENERAL PURPOSE PNP TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
FMN1.1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | CHIP
FMN1.2 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 33V V(BR)DSS | CHIP
FMN35.3 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 33V V(BR)DSS | CHIP
相關代理商/技術參數
參數描述
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FMMT560TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighV 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT576 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
FMMT589 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23
FMMT589 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23